ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2021

Просмотров: 1653

Скачиваний: 3

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
background image

11 

В

диэлектриках

не

осуществляется

делокализация

e

-

валентная

зона

заполнена

e

-

которые

не

могут

перемещаться

т

.

к

их

положение

зафикси

-

ровано

в

химических

связях

На

рис

. 1.6 

наличие

e

-

обозначено

косой

штри

-

ховкой

При

комнатной

температуре

тепловой

энергии

недостаточно

для

переброски

e

-

из

валентной

зоны

в

зону

проводимости

Рис

. 1.6. 

Электронная

структура

материалов

У

полупроводников

ширина

энергетической

щели

меньше

Верхняя

ва

-

лентная

зона

заполнена

до

конца

и

отделяется

от

следующей

пустой

зоны

небольшим

промежутком

называемыми

щелью

Когда

атом

решетки

теряет

e

-

он

приобретает

положительный

заряд

 (

дырка

). 

Если

дырка

остаётся

ло

-

кализованной

на

узле

решетки

а

оторванный

e

-

не

уходит

от

неё

слишком

далеко

то

он

притягивается

к

положительному

заряду

дырки

электростати

-

ческими

силами

и

может

оказаться

связанным

образуя

экситон

похожий

на

атом

водорода

Экситон

 – 

слабосвязанная

электронно

-

дырочная

пара

При

комнатной

температуре

возбуждение

может

забросить

часть

электронов

ва

-

лентной

зоны

в

зону

проводимости

Возможна

небольшая

проводимость

Проводники

 – 

это

материалы

с

заполненной

e

-

внешней

  (

валентной

зоной

и

зоной

проводимости

частично

заполненной

делокализованными

e

-

выступающими

носителями

электрического

тока

Положительно

заряжен

-

ные

ионы

 Me, 

расположенные

в

узлах

кристаллической

решетки

отдают

свои

e

-

в

зону

проводимости

и

остаются

положительно

заряженными

осно

-

вой

для

обобществленных

e

-

Когда

атомы

формируют

решетку

их

дис

-

кретные

энергетические

уровни

расщепляются

в

энергетические

зоны

В

металле

верхняя

энергетическая

зона

заполнена

не

до

конца

Когда

частицы

уменьшены

до

нескольких

сотен

атомов

плотность

состояний

 (

количество

энергетических

уровней

в

заданном

интервале

энергий

в

зоне

проводимо

-

сти

 – 

верхней

зоне

содержащей

e

-

разительно

меньше

Непрерывная

плот

-

ность

соответственно

заменяется

набором

дискретных

уровней

интервалы

между

которыми

могут

оказаться

больше

чем

тепловая

энергия

что

приво

-


background image

12 

дит

к

образованию

щели

 (

запрещенной

зоны

). 

Пример

изменения

электрон

-

ной

структуры

при

переходе

от

объемного

кристалла

к

большому

кластеру

а

затем

к

маленькому

кластеру

показан

на

рис

. 1.7. 

 
 
 
 
 

                                      

а

                         

б

                            

в

                                                 ~ 100 

атомов

       ~ 3 

атома

Рис

. 1.7. 

Энергетические

уровни

металлов

В

кристаллах

размер

которых

соизмерим

с

длиной

волны

элементар

-

ных

возбуждений

изменяются

условия

квантования

их

энергии

в

результа

-

те

чего

происходит

расщепление

энергетических

зон

на

отдельные

уровни

(

рис

. 1.8). 

Маленький

кластер

аналогичен

молекуле

с

её

дискретным

набо

-

ром

энергетических

уровней

В

конце

концов

можно

уменьшить

кластер

до

размеров

при

которых

расстояние

между

противоположными

гранями

при

-

ближается

к

длине

волны

электронов

Возникает

квантовый

размерный

эф

-

фект

 (~ 0.5 

нм

). 

Кластеры

разных

размеров

имеют

разную

размерную

элек

-

тронную

структуру

и

соответственно

разные

расстояния

между

уровнями

Рис

. 1.8. 

Электронные

спектры

изолированной

молекулы

наночастицы

и

кристаллического

полупроводника

. E

F

 – 

уровень

Ферми

 [

Уваров

Н

.

Ф

., 

Болдырев

В

.

В

Размерные

эффекты

в

химии

гетерогенных

систем

 // 

Успехи

химии

. 2001. 

Т

. 70, 

 4. 

С

. 307–329] 


background image

13 

Одним

из

методов

изучения

электронной

структуры

наночастиц

явля

-

ется

ультрафиолетовая

  (

УФ

электронная

спектроскопия

Энергия

самого

низкого

пика

фотоэлектронного

спектра

является

мерой

электронного

срод

-

ства

кластера

 (

рис

. 1.9). 

Падающие

фотоны

выбивают

электроны

с

внешних

валентных

уровней

атома

Электронная

структура

верхней

зоны

зависит

от

размера

кластера

Рис

. 1.9. 

УФ

-

фотоэлектронный

спектр

валентной

зоны

частиц

меди

из

 20 

и

 40 

атомов

На

рис

. 1.10 

показана

   

зависимость

электронного

сродства

кластеров

меди

от

его

размера

демонстрирующая

пики

при

определенных

размерах

кластеров

Рис

. 1.10. 

Зависимость

электронного

сродства

меди

от

размера

наночастицы

Теоретическое

моделирование

НЧ

1. 

В

модели

 «

желе

» 

кластер

атомов

рассматривается

как

один

большой

атом

Положительный

заряд

ядра

каждого

атома

кластера

считается

равно

-

мерно

распределённым

по

шару

с

объёмом

равным

объёму

кластера

Элек

-

тронные

магические

числа

соответствуют

полному

количеству

e

-

суперато

-

ма

при

которых

верхний

энергетический

уровень

заполнен

до

конца


background image

14 

На

рис

. 1.11 

показаны

схемы

энергетических

уровней

атома

водоро

-

да

и

системы

со

сферически

симметричным

распределением

положитель

-

ного

заряда

Рис

. 1.11. 

Сравнение

энергетических

уровней

атома

водорода

и

малоатомного

кластера

в

модели

желе

Электронные

магические

числа

атомов

 He, Ne, Ar, Kr 

составляют

 2, 10, 18, 36 

соответственно

 (

уровни

 Kr 

на

рисунке

не

показаны

),  

и

 2, 18, 40 

для

кластеров

Верхние

индексы

 – 

количество

электронов

 
2. 

Альтернативная

модель

рассматривает

кластер

как

молекулу

и

исполь

-

зует

метод

молекулярных

орбиталей

В

табл

. 1.2 

приведены

результаты

вы

-

числений

по

методу

функционалов

плотности

некоторых

электронных

свойств

частицы

 Al

13

У

кластера

 Al

13

один

e

-

не

спарен

на

внешней

оболочке

Иногда

фактором

определяющим

энергетический

минимум

структуры

малой

НЧ

является

взаимодействие

валентных

электронов

и

составляющих

частицы

атомов

с

усредненным

молекулярным

потенциалом

Конфигурации

атомных

кластеров

в

которых

такие

e

-

образуют

заполненные

внешние

оболочки

осо

-

бенно

устойчивы

и

порождают

электронные

магические

числа

Таблица

 1.2 

Вычисление

энергии

связи

на

один

атом

и

межатомные

расстояния

  

для

некоторых

наночастиц

алюминия

в

сравнении

со

значением

  

для

объемного

образца

Кластер

Энергия

связи

Межатомное

расстояние

o

A

Al

13

 (

неспаренный

e

-

) 2.77 

2.81 

Al

13

 (

спаренный

e

-

) 3.10 

2.75 

Объемный

 Al 

3.39 

2.86 

Максимальную

энергию

ионизации

атомов

т

.

е

энергию

для

удаления

внешних

электронов

имеют

2

Не

10

Ne, 

18

Ar (

из

 18 

первых

элементов

систе

-

мы

Менделеева

) (

рис

. 1.12

а

У

них

внешние

s- 

и

 p-

орбитали

заполнены

Энергия

ионизации

зависят

от

числа

атомов

в

кластере

Наибольшая

энер

-

гия

ионизации

принадлежит

кластерам

 Na 

из

 2 

и

 8 

атомов

  (

рассмотрены


background image

15 

кластеры

до

 12 

атомов

) (

рис

. 1.12

б

). 

Эти

кластеры

обладают

электронными

магическими

числами

Рис

. 1.12.   

Зависимость

энергии

ионизации

изолированных

атомов

а

 – 

от

атомного

номера

б

 – 

от

числа

атомов

в

кластере

НЧ

могут

иметь

такую

же

кристаллическую

структуру

как

и

у

объём

-

ного

металла

 (

рис

. 1.13

а

), 

но

с

несколько

отличающимися

параметрами

ре

-

шетки

Однако

в

некоторых

случаях

малые

частицы

с

размерами

 < 5 

нм

мо

-

гут

иметь

иную

структуру

 (

рис

. 1.13

б

). 

Рис

. 1.13. 

Геометрические

структуры

:  

а

 – 

элементарная

ячейка

объемного

алюминия

б

 – 

три

возможных

структуры

кластера

 Al

13

: fcc – 

гранецентрированная

кубическая

структура

 (

ГЦК

),  

hcp – 

гексагональная

плотноупакованная

структура

 (

ГПУ

), 

 icos – 

икосаэдрическая

структура