Файл: 1. Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в.pdf

https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
1. Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в
переменное напряжение другой постоянной, является
*преобразователь числа фаз
*выпрямитель
*трансформатор
*преобразователь частоты
2. К недостаткам МОП-транзисторов относится
*малое значение входной емкости
*большое значение входной емкости
*повышенное сопротивление в проводящем состоянии
*очень низкое сопротивление в проводящем состоянии
3. Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку
выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются
*обратноходовые
*импульсно-ходовые
*прямоходовые
*интервально-ходовые
4. Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку
выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
*Обратноходовые
*импульсно-ходовые
*прямоходовые
*интервально-ходовые
5. Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в
*открытом состоянии и характеризуется очень малым током
*закрытом состоянии и характеризуется очень малым током
*закрытом состоянии и характеризуется очень большим током
*открытом состоянии и характеризуется очень большим током
6. К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором
не относятся
*энергия потерь при выключении
*максимально допустимое напряжение затвор-исток
*выходная емкость
*максимально допустимый ток стока
7. Нуль-орган не может быть выполнен на базе:
*ключевых транзисторов, работающих под управлением синхроимпульсов
*полупроводниковых диодов, работающих под управлением синхроимпульсов
*трансформатора, который перемагничивается в момент перехода синхронизирующего напряжения через нуль
*сравнивающего устройства в интегральном исполнении

https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
8. Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения
достигает:
*от 25 до 100 мкс
*от 1 до 5 мкс
*от 25 до 100 нс
*от 1 до 5 нс
9. Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются
*соответственно к верхней и нижней монтажным шинам схемам
*перекрестно к противоположным монтажным шинам
*схемы последовательно с силовым ключом
*параллельно силовому ключу
10. Для включения тиристора SCR необходимо
*подать отрицательное напряжение между анодом и катодом
*снизить анодный ток до минимальной величины
*подать положительное напряжение между анодом и катодом
*подать импульс управления на управляющий электрод
11. К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся
*время спада тока коллектора
*максимально допустимый ток коллектора
*ток обратного смещенного коллекторного перехода
*время нарастания тока коллектора
12. Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
*высокими значениями обратного напряжения и прямого тока
*высокими значениями прямого напряжения и прямого тока
*низкими значениями обратного напряжения и прямого тока
*низкими значениями обратного напряжения и обратного тока
13. Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами
*высокое входное сопротивление
*меньшее напряжение в открытом состоянии
*высокие частотные характеристики
*низкий ток коммутации
14. Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами
*повреждение силового ключа
*накопление зарядов в ключевых компонентах схемы
*влияние паразитных элементов схемы и монтажа
*рассасывание зарядов в ключевых компонентах схемы
15. Пульсность выпрямителя
*обратно пропорциональна частоте пульсации
*прямо пропорциональна частоте питающего напряжения
*прямо пропорциональна частоте пульсации

https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
*обратно пропорциональна частоте питающего напряжения
16. Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
*полевого транзистора с горизонтальным каналом
*униполярного транзистора
*полевого транзистора с вертикальным каналом
*биполярного транзистора
17. Быстродействие IGBT транзистора
*выше быстродействия полевых транзисторов
*ниже быстродействия полевых транзисторов
*выше быстродействия биполярных транзисторов
*ниже быстродействия биполярных транзисторов
18. В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота
задающего генератора (ЗГ)
*в шесть раз превышает частоты питающей сети
*в три раза меньше частоты питающей сети
*равна частоте питающей сети
*в три раза превышает частоту питающей сети
19. В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы
смещаются
*коллектор-база - в обратном направлении
*эмиттер-база - в прямом направлении
*коллектор-база - в прямом направлении
*эмиттер-база - в обратном направлении
20. Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное,
является
*преобразователь частоты
*инвертор
*выпрямитель
*регулятор переменного значения
21. В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего
канала, подается на
*исток
*подложку
*затвор
*сток
22. К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:
*высокий уровень собственных шумов
*высокое входное сопротивление в схеме с общим истоком (ОИ)
*отсутствие вторичного пробоя
*низкая плотность размещения элементов при изготовлении интегральных схем

https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
23. В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в
паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
*прямо пропорциональна величине паразитной индуктивности
*прямо пропорциональна квадрату величины анодного тока
*обратно пропорциональна величине паразитной индуктивности
*обратно пропорциональна квадрату величины анодного тока
24. Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не
зависят от
*функционального назначения преобразовательных устройств
*конструкции преобразовательного устройства
*типа преобразовательных устройств
*элементной базы электронных ключей
25. В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью
*включение осуществляется при спаде тока через прибор до нуля
*выключение осуществляется сигналом управления
*включение осуществляется сигналом управления
*выключение – при спаде тока через прибор до нуля
26. К аппаратам низкого напряжения не относятся
*аппараты управления и защиты
*аппараты автоматического регулирования
*шунтирующие реакторы
*аппараты автоматики
27. В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией
частота на выходе задающего генератора (ЗГ)
*в четыре раза меньшей выходной частоты инвертора
*в два раза превышает выходную частоту инвертора
*в четыре раза превышает выходную частоту инвертора
*в два раза меньшей выходной частоты инвертора
28. В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
*база
*коллектор
*подложка
*эмиттер
29. При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна
находиться в пределах
*от 10 до 100 А/мкс
*от 1 до 100 А/мкс
*от 1 до 10 А/мкс
*от 10 до 1000 А/мкс

https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
30. В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
*фазосдвигающее устройство (ФСУ)
*нуль-орган (НО)
*генератор пилообразного напряжения (ГПН)
*компаратор (К)
31. В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
*увеличения мощности, потребляемой ФИУ
*повышения частотных характеристик ФИУ
*снижения частотных характеристик ФИУ
*снижения мощности, потребляемой ФИУ
32. Величина заряда обратного восстановления силового диода
*прямо пропорциональна амплитуде входного сигнала
*прямо пропорциональна частоте коммутации
*обратно пропорциональна мощности потерь обратного восстановления
*прямо пропорциональна энергии обратного восстановления
33. Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
*порядка 0,1 А
*порядка 0,5 А
*порядка 0,3 А
*порядка 0,2 А
34. К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной
мощности, относятся
*разъединители и отделители
*ограничители перенапряжений
*шунтирующие реакторы
*разделительные трансформаторы
35. Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
*от 10 до 20 А
*от 20 до 40 мА
*от 10 до 20 мА
*от 20 до 40 А
36. Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному
узлу драйвера включают
*шунтирующий высокочастотный конденсатор небольшой емкости
*быстродействующий диод
*низкочастотный диод
*шунтирующий низкочастотный конденсатор большой емкости
37. Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно
используют
*симисторы (триаки)

https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
*однооперационные тиристоры
*МОП-транзисторы
*биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
38. Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ
*напряжение отсечки равно нулю
*напряжение отсечки имеет отрицательное значение
*при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в закрытом состоянии
*при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в открытом состоянии
39. Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает
предельно установленный уровень, то
*улучшаются частотные и динамические свойства прибора
*снижается мощность потерь
*ухудшаются частотные и динамические свойства прибора
*возрастает мощность потерь
40. Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если
*напряжение на аноде меньше, чем напряжение на катоде
*напряжение на аноде равно напряжению на катоде
*напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде
*напряжения на аноде и катоде отсутствуют
41. Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
*транзисторы с изолированным затвором (ПТИЗ)
*транзисторы с управляющим p-n-переходом (p-n-затвором) (ПТУП)
*МОП - транзисторы (металл -окисел-полупроводник)
*МДП - транзисторы (металл -диэлектрик-полупроводник
42. К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится
*низкий коэффициент передачи тока
*температурная нестабильность параметров
*большая задержка передачи сигналов
*потенциальная развязки информационного сигнала
43. К новым типам комбинированных транзисторов относятся
*транзисторы со статической индукцией
*биполярные транзисторы с изолированным затвором
*симистор
*полевой тиристор МСТ
44. В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть
следующие отказы
*открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
*открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
*закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
*закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода

https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
45. К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся
*симметричный режим работы трансформатора
*малое количество силовых ключей
*простота реализации схем управления
*интеллектуальная система управления
46. Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует
*с проводным каналом
*со встроенным каналом
*с индуцированным каналом
*с проецированным каналом
47. Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты
*вначале уменьшается, а потом увеличивается до 1
*не изменяется
*увеличивается до 1 и потом остается неизменным
*вначале увеличивается до 1, а потом уменьшается
48. В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить
*замкнутым ключом
*источником тока коллектора, управляемого током базы
*источником тока эмиттера, управляемого током базы
*разомкнутым ключом
49. К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в
импульсных источниках питания относятся
*высокий уровень выходного тока драйвера
*низкая рассеиваемая мощность в драйвере
*ограниченный выходной ток драйвера
*оптимизация разводки печатной платы
50. К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором
относятся:
*входная емкость
*энергия потерь при включении
*максимально допустимый ток стока
*крутизна передаточной характеристики
51. К предельно допустимым параметрам силового диода относится
*импульсное обратное напряжение
*напряжение пробоя
*время нарастания прямого тока
*динамическое сопротивление
52. К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми
ключами с изолированным затвором не относятся

https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
*зависимость амплитуды импульса управления от скважности
*независимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
*зависимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
*независимость амплитуды импульса управления от скважности
53. К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
*преобразование переменного напряжения в постоянное напряжение
*преобразование постоянного напряжения в переменное напряжение
*формирование сигналов управления силовой частью
*осуществление оперативного обмена с внешней средой
54. Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные
коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно
*с общей базой (ОБ)
*с общим истоком (ОИ)
*с общей подложкой (ОП)
*с общим стоком (ОС)
55. Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
*импульсные
*цифровые
*непрерывные
*релейные
56.Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной
модуляции, являются
*низкая частота коммутации
*зависимость частоты коммутации от входного напряжения
*зависимость частоты коммутации от тока нагрузки
*низкие динамические характеристики
57. Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса
*6 В
*600 В
*60 В
*6000 В
58. Конструктивно симистор представляет собой
*объединение двух встречновключенных тиристоров
*объединение трех встречновключенных тиристоров
*объединение двух прямовключенных тиристоров
*объединение трех прямовключенных транзисторов
59. Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален
*току коллектора в граничном режиме
*току базы в граничном режиме
*току базы в насыщенном режиме

https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
*току коллектора в насыщенном режиме
60. Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен
*сумме коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
*произведению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
*разности коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
*отношению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
61. Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит
*один генератор пилообразного напряжения
*один синхронизатор
*три синхронизатора
*три генератора пилообразного напряжения
62. По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое
обратное напряжение выдерживает
*биполярный транзистор с изолированным затвором
*полевой транзистор с изолированным затвором
*асинхронный тиристор
*биполярный транзистор
63. Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
*произведению величины заряда обратного восстановления и частоты коммутации
*произведению величины заряда обратного восстановления и амплитуды входного сигнала
*произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации
*произведению амплитуды входного сигнала и частоты коммутации
64. Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с
изолированным затвором IGBT применяются в
*источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
*источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
*источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт
*источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт