Файл: 1. Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 09.11.2023
Просмотров: 1364
Скачиваний: 61
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
136. Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO параллельно включают демпфирующую RCD - цепь
137. В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению
ключа к функциям триггера не относится управляет работой компаратора
138. Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц мощные полевые транзисторы (MOSFET)
139. Область применения биполярных и МОП-транзисторов
Кондиционеры
Холодильники
140. Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имеют
запираемые тиристоры (GTO, GST, IEGT)
141. Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют
мощные полевые транзисторы (MOSFET) ; симисторы (триаки)
142. Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным
затвором (IGBT) низкое быстродействие переключения высокий уровень коммуникационных потерь
143. В резонансных силовых преобразователях
коммутация силовых ключей выполняется либо при нулевом напряжении, либо при нулевом токе паразитные элементы являются составной частью резонансного LC-контура
137. В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению
ключа к функциям триггера не относится управляет работой компаратора
138. Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц мощные полевые транзисторы (MOSFET)
139. Область применения биполярных и МОП-транзисторов
Кондиционеры
Холодильники
140. Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имеют
запираемые тиристоры (GTO, GST, IEGT)
141. Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют
мощные полевые транзисторы (MOSFET) ; симисторы (триаки)
142. Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным
затвором (IGBT) низкое быстродействие переключения высокий уровень коммуникационных потерь
143. В резонансных силовых преобразователях
коммутация силовых ключей выполняется либо при нулевом напряжении, либо при нулевом токе паразитные элементы являются составной частью резонансного LC-контура
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
144. Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с
LC-цепью
при нулевом значении напряжения
145. К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится обеспечение высокого прямого падения напряжения в открытом состоянии
146. Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных
схемах ключевых транзисторов с
пониженным до долей вольта выходным напряжением синхронным переключением в такт от высокочастотного входного сигнала
147. Схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (VWF-инвертор)
не содержит полумостовой инвертор
148. Для построения систем управления двигателями переменного тока наиболее
перспективными являются тиристорные ключи
IGBT транзисторы
149. Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров
прямо пропорциональна величине напряжения источника питания обратно пропорциональна предельно допустимой скорости нарастания анодного тока
150. Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по
ограничению скорости нарастания тока на аноде в режиме включения ключа обеспечению безопасной траектории в режиме выключения ключа в рамках заданной ОБР
151. Основная функция силового диода выпрямление переменного сигнала
152. В режиме лавинного пробоя силового диода резко увеличивается
обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
153. Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять
монтаж силовой схемы с помощью одножильных проводов
154. К параметрам силовых диодов не относятся потенциальные
155. К статическим параметрам силового диода не относится время нарастания прямого тока
156. Динамическими параметрами силового диода являются
144. Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с
LC-цепью
при нулевом значении напряжения
145. К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится обеспечение высокого прямого падения напряжения в открытом состоянии
146. Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных
схемах ключевых транзисторов с
пониженным до долей вольта выходным напряжением синхронным переключением в такт от высокочастотного входного сигнала
147. Схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (VWF-инвертор)
не содержит полумостовой инвертор
148. Для построения систем управления двигателями переменного тока наиболее
перспективными являются тиристорные ключи
IGBT транзисторы
149. Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров
прямо пропорциональна величине напряжения источника питания обратно пропорциональна предельно допустимой скорости нарастания анодного тока
150. Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по
ограничению скорости нарастания тока на аноде в режиме включения ключа обеспечению безопасной траектории в режиме выключения ключа в рамках заданной ОБР
151. Основная функция силового диода выпрямление переменного сигнала
152. В режиме лавинного пробоя силового диода резко увеличивается
обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
153. Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять
монтаж силовой схемы с помощью одножильных проводов
154. К параметрам силовых диодов не относятся потенциальные
155. К статическим параметрам силового диода не относится время нарастания прямого тока
156. Динамическими параметрами силового диода являются
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза время нарастания прямого тока время восстановления обратного напряжения
157. Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами
прямой ток - в диапазоне от 10 до 1000 А обратное напряжение от 50 до 3000 В
158. Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки
Кремний
159. Точечные диоды имеют малую площадь p-n-перехода ; используются для выпрямления малых токов
160. Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся
диодов достигает: до 100 нс
161. Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия
с управляющим p-n-переходом с изолированным затвором
162. Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что
регулирование значения тока осуществляется
поперечным электрическим полем, а не током
163. При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток –
исток очень велико
164. Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию токов до 50 А и напряжения до 1000 В
165. Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы
с индуцированным каналом
166. К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном
затвором относятся выходная емкость
167. К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном
затвором не относятся тепловое сопротивление переход-корпус ; крутизна передаточной характеристики
168. В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными
напряжениями (до 300 В) применяются:
DМОП – структуры
VМОП – структуры
157. Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами
прямой ток - в диапазоне от 10 до 1000 А обратное напряжение от 50 до 3000 В
158. Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки
Кремний
159. Точечные диоды имеют малую площадь p-n-перехода ; используются для выпрямления малых токов
160. Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся
диодов достигает: до 100 нс
161. Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия
с управляющим p-n-переходом с изолированным затвором
162. Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что
регулирование значения тока осуществляется
поперечным электрическим полем, а не током
163. При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток –
исток очень велико
164. Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию токов до 50 А и напряжения до 1000 В
165. Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы
с индуцированным каналом
166. К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном
затвором относятся выходная емкость
167. К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном
затвором не относятся тепловое сопротивление переход-корпус ; крутизна передаточной характеристики
168. В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными
напряжениями (до 300 В) применяются:
DМОП – структуры
VМОП – структуры
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
169. Полевой транзистор в режиме насыщения используется как
источник тока, управляемый напряжением на затворе
170. Для изготовления высоковольтных DМОП - транзисторов с n-каналом используются вертикальные структуры с высоколегированной подложкой n+ - типа
171. При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–
транзисторами имеют
более высокое пробивное напряжение более высокое сопротивление открытого канала
172. Качество МДП - структуры тем выше, чем выше крутизна передаточной характеристики меньше паразитная емкость
173. Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит три p-n-перехода четыре p-n-перехода
174. К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной
управляемостью не относится
интегрируемый запираемый тиристор IGTC
175. К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью
относятся полевой тиристор МСТ тиристор GTC
176. На основе тиристоров с неполной управляемостью построены управляемые выпрямители тока преобразователи переменного напряжения
177. Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании регулируемых электроприводов переменного тока мощных источников питания электрических подстанций
178. Ассиметричный (обычный) тиристор содержит четыре слоя с разным типом проводимости
179. В тиристоре SCR при подаче только положительного напряжения между анодом и
катодом, но с величиной меньше напряжения переключения,
переходы П1 и П3 смещаются в прямом направлении переход П2 смещается в обратном направлении
180. К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не
относится
169. Полевой транзистор в режиме насыщения используется как
источник тока, управляемый напряжением на затворе
170. Для изготовления высоковольтных DМОП - транзисторов с n-каналом используются вертикальные структуры с высоколегированной подложкой n+ - типа
171. При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–
транзисторами имеют
более высокое пробивное напряжение более высокое сопротивление открытого канала
172. Качество МДП - структуры тем выше, чем выше крутизна передаточной характеристики меньше паразитная емкость
173. Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит три p-n-перехода четыре p-n-перехода
174. К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной
управляемостью не относится
интегрируемый запираемый тиристор IGTC
175. К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью
относятся полевой тиристор МСТ тиристор GTC
176. На основе тиристоров с неполной управляемостью построены управляемые выпрямители тока преобразователи переменного напряжения
177. Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании регулируемых электроприводов переменного тока мощных источников питания электрических подстанций
178. Ассиметричный (обычный) тиристор содержит четыре слоя с разным типом проводимости
179. В тиристоре SCR при подаче только положительного напряжения между анодом и
катодом, но с величиной меньше напряжения переключения,
переходы П1 и П3 смещаются в прямом направлении переход П2 смещается в обратном направлении
180. К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не
относится
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза время запаздывания обратного напряжения
181. Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости
охлаждающего воздуха
увеличивается до 1
182. Симистор – это тиристор, который может пропускать ток в обоих направлениях не пропускать ток в обоих направлениях
183. При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы
включаются в прямом направлении в обратном направлении
184. Запираемый тиристор GTO управляется сигналами различной полярности
185. Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является
его
быстрое выключение
186. В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует
интегральная схема управления
187. Силовые комбинированные приборы могут коммутировать
токи до 3,6 кА при напряжении до 6,5 кВ
188. В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют не полное управление
189. Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание
входного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором выходного биполярного n-p-n-транзистора
190. В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры n-p-n-типа p-n-p-типа
191. Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой
называется зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
192. По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий
ток коммутации обеспечивает
биполярный транзистор с изолированным затвором
181. Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости
охлаждающего воздуха
увеличивается до 1
182. Симистор – это тиристор, который может пропускать ток в обоих направлениях не пропускать ток в обоих направлениях
183. При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы
включаются в прямом направлении в обратном направлении
184. Запираемый тиристор GTO управляется сигналами различной полярности
185. Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является
его
быстрое выключение
186. В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует
интегральная схема управления
187. Силовые комбинированные приборы могут коммутировать
токи до 3,6 кА при напряжении до 6,5 кВ
188. В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют не полное управление
189. Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание
входного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором выходного биполярного n-p-n-транзистора
190. В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры n-p-n-типа p-n-p-типа
191. Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой
называется зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
192. По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий
ток коммутации обеспечивает
биполярный транзистор с изолированным затвором
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
193. Высокой температурной устойчивостью не обладает
биполярный транзистор
194. В транзисторе IGBT сочетается
высокое входное сопротивление МОП-транзистора с высокой токовой нагрузкой малое сопротивление во включенном состоянии биполярного транзистора
195. Как и МОП-транзистор СИТ транзистор
является многоканальным имеет вертикальную структуру
196. К аппаратам высокого напряжения не относятся
выключатели высокого напряжения
197. К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей
в режиме короткого замыкания, относятся выключатели высокого напряжения
198. К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при
ремонте электрооборудования, относятся
разъединителя и отделители
199. Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное,
является
Инвертор
200. Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не
обеспечивает передачу электрической энергии от первичного источника к потребителю
201. Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора
и непосредственными входами силовых устройств, это
ФИУ – формирователь импульсов управления
202. Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это
БОИ – блок обработки информации
203. Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат
информации в какое состояние перейдет устройство
204. Не существует следующего вида модуляций дискретно-импульсная
205. Системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к дискретным системам
193. Высокой температурной устойчивостью не обладает
биполярный транзистор
194. В транзисторе IGBT сочетается
высокое входное сопротивление МОП-транзистора с высокой токовой нагрузкой малое сопротивление во включенном состоянии биполярного транзистора
195. Как и МОП-транзистор СИТ транзистор
является многоканальным имеет вертикальную структуру
196. К аппаратам высокого напряжения не относятся
выключатели высокого напряжения
197. К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей
в режиме короткого замыкания, относятся выключатели высокого напряжения
198. К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при
ремонте электрооборудования, относятся
разъединителя и отделители
199. Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное,
является
Инвертор
200. Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не
обеспечивает передачу электрической энергии от первичного источника к потребителю
201. Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора
и непосредственными входами силовых устройств, это
ФИУ – формирователь импульсов управления
202. Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это
БОИ – блок обработки информации
203. Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат
информации в какое состояние перейдет устройство
204. Не существует следующего вида модуляций дискретно-импульсная
205. Системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к дискретным системам
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
206. При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
207. При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
208. При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры
имеют вид
период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
209. К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся
токовый режим с выключением по тактовому сигналу
210. В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили
широкое распространение силовые МОП-транзисторы ; биполярные транзисторы с изолированным затвором
211. Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к форме сигнала управления мощности сигнала управления
212. Принципы построения ФИУ не зависят от конструктивного исполнения полупроводникового прибора
213. Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется совместная передача энергии и формы управляющего сигнала раздельная передача энергии и информационного сигнала
214. Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно
выполняться следующее требование гарантированный переход транзистора в режим насыщения под воздействием тока эмиттера
215. Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью непосредственной гальванической связи
216. По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы
работы
постоянный базовый ток управления транзистором при изменении тока нагрузки пропорциональное изменение базового тока транзистора с изменением тока нагрузки
217. Для реализации идеального управляющего импульса необходимо
чтобы ФИУ соответствовал источнику тока, а не напряжения использовать нелинейную обратную связь между входом и выходом
218. Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ
при отсутствии управляющего сигнала находятся в режиме насыщения и режиме отсечки
206. При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
207. При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
208. При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры
имеют вид
период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
209. К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся
токовый режим с выключением по тактовому сигналу
210. В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили
широкое распространение силовые МОП-транзисторы ; биполярные транзисторы с изолированным затвором
211. Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к форме сигнала управления мощности сигнала управления
212. Принципы построения ФИУ не зависят от конструктивного исполнения полупроводникового прибора
213. Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется совместная передача энергии и формы управляющего сигнала раздельная передача энергии и информационного сигнала
214. Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно
выполняться следующее требование гарантированный переход транзистора в режим насыщения под воздействием тока эмиттера
215. Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью непосредственной гальванической связи
216. По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы
работы
постоянный базовый ток управления транзистором при изменении тока нагрузки пропорциональное изменение базового тока транзистора с изменением тока нагрузки
217. Для реализации идеального управляющего импульса необходимо
чтобы ФИУ соответствовал источнику тока, а не напряжения использовать нелинейную обратную связь между входом и выходом
218. Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ
при отсутствии управляющего сигнала находятся в режиме насыщения и режиме отсечки
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза при поступлении управляющего сигнала переключаются в режим насыщения и режим отсечки
219. Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает
высокую помехозащищенность передачи возможность передачи непрерывных сигналов информации
220. К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится режим подачи отрицательного напряжения для прямого смещения эмиттерного перехода
221. Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного
транзистора является использование схемы с
отрицательным напряжением обратного смещения
222. В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный
низковольтный быстродействующий МДП-транзистор
223. В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей
получили полевые транзисторы с изолированным затвором биполярные транзисторы с изолированным затвором БТИЗ и IGBT-транзисторы
224. Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными
транзисторами
низкое входное сопротивление затвора
225. К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся
для открытия транзисторов на их затвор необходимо подать напряжение равное от 10 до 15 В для закрытия транзисторов на их затвор необходимо подать нулевое напряжение
226. Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ
обеспечение максимальной начальной площади импульса включения тиристора
227. Система управления электронными ключами не предназначена для
изменения состояния силовых электронных ключей по определенному алгоритму
228. Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными
преобразователями
Фазоимпульсный
Вертикальный
229. В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится фазосдвигающее устройство (ФСУ) нуль-орган (НО)
230. При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
через устройство синхронизации С на вход генератора пилообразного напряжения (ГПН)
219. Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает
высокую помехозащищенность передачи возможность передачи непрерывных сигналов информации
220. К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится режим подачи отрицательного напряжения для прямого смещения эмиттерного перехода
221. Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного
транзистора является использование схемы с
отрицательным напряжением обратного смещения
222. В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный
низковольтный быстродействующий МДП-транзистор
223. В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей
получили полевые транзисторы с изолированным затвором биполярные транзисторы с изолированным затвором БТИЗ и IGBT-транзисторы
224. Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными
транзисторами
низкое входное сопротивление затвора
225. К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся
для открытия транзисторов на их затвор необходимо подать напряжение равное от 10 до 15 В для закрытия транзисторов на их затвор необходимо подать нулевое напряжение
226. Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ
обеспечение максимальной начальной площади импульса включения тиристора
227. Система управления электронными ключами не предназначена для
изменения состояния силовых электронных ключей по определенному алгоритму
228. Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными
преобразователями
Фазоимпульсный
Вертикальный
229. В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится фазосдвигающее устройство (ФСУ) нуль-орган (НО)
230. При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
через устройство синхронизации С на вход генератора пилообразного напряжения (ГПН)
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
231. Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать
количество каналов, равное произведению фазности на число периодов выпрямителя
232. В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора
пилообразного напряжения в три раза превышает частоту питающей сети
233. В одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем на входы схем
совпадения (СС) поступают импульсы с выходов компаратора (К) устройства синхронизации (С)
234. В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем
распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину
2π / 3
235. Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна
иметь отрицательную обратную связь быть замкнутой
236. В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения
обнуляет содержимое счетчика импульсов (СИ)
включает в работу распределитель импульсов (РИ)
237. Частота импульсов с выхода задающего генератора (ЗГ) в схеме 3-х фазного мостового
инвертора напряжения
в шесть раз превышает выходную частоту инвертора
238. В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией
содержится
два распределителя импульсов (РИ) четыре формирователя импульсов управления (ФИУ)
239. Коэффициент заполнения импульсов силового ключа прямо пропорционален длительности открытого состояния ключа обратно пропорционален периоду следования импульсов
240. Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя
постоянного тока содержит контур отрицательной обратной связи, включающий датчик напряжения (ДН)
241. Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети
используют внешние защитные устройства, подключенные параллельно входу силового преобразователя
231. Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать
количество каналов, равное произведению фазности на число периодов выпрямителя
232. В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора
пилообразного напряжения в три раза превышает частоту питающей сети
233. В одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем на входы схем
совпадения (СС) поступают импульсы с выходов компаратора (К) устройства синхронизации (С)
234. В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем
распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину
2π / 3
235. Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна
иметь отрицательную обратную связь быть замкнутой
236. В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения
обнуляет содержимое счетчика импульсов (СИ)
включает в работу распределитель импульсов (РИ)
237. Частота импульсов с выхода задающего генератора (ЗГ) в схеме 3-х фазного мостового
инвертора напряжения
в шесть раз превышает выходную частоту инвертора
238. В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией
содержится
два распределителя импульсов (РИ) четыре формирователя импульсов управления (ФИУ)
239. Коэффициент заполнения импульсов силового ключа прямо пропорционален длительности открытого состояния ключа обратно пропорционален периоду следования импульсов
240. Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя
постоянного тока содержит контур отрицательной обратной связи, включающий датчик напряжения (ДН)
241. Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети
используют внешние защитные устройства, подключенные параллельно входу силового преобразователя
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
242. Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило,
определяются действием нагрузок с большой индукционной составляющей
243. Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами,
используют снабберы, включаемые параллельно силовому ключу или группе приборов
244. Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной
нагрузки, используют дополнительные элементы, обеспечивающие снятие накопленной энергии дополнительные элементы, шунтирующие нагрузку
245. К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок
силовых ключей, не относится
влияние паразитных элементов монтажа
246. В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь
между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи
не используют увеличение площади соединительных контуров
247. Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют
приближают сигнальные проводники к силовым шинам
248. С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных
аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный
Конденсатор
249. Силовым диодом называется
полупроводниковый неуправляемый прибор с двумя выводами
242. Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило,
определяются действием нагрузок с большой индукционной составляющей
243. Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами,
используют снабберы, включаемые параллельно силовому ключу или группе приборов
244. Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной
нагрузки, используют дополнительные элементы, обеспечивающие снятие накопленной энергии дополнительные элементы, шунтирующие нагрузку
245. К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок
силовых ключей, не относится
влияние паразитных элементов монтажа
246. В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь
между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи
не используют увеличение площади соединительных контуров
247. Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют
приближают сигнальные проводники к силовым шинам
248. С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных
аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный
Конденсатор
249. Силовым диодом называется
полупроводниковый неуправляемый прибор с двумя выводами