Файл: 1. Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 09.11.2023
Просмотров: 1366
Скачиваний: 61
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
65. Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
*подключение внешних дополнительных защитных устройств
*повышение уровня помехозащищенности системы управления и ключа
*определение момента перегрузки и подключение системы защиты
*уменьшение влияния паразитных элементов монтажа
66. При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными
ключами не учитывают следующие особенности
*подключение внешних дополнительных защитных устройств
*повышение уровня помехозащищенности системы управления и ключа
*определение момента перегрузки и подключение системы защиты
*уменьшение влияния паразитных элементов монтажа
66. При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными
ключами не учитывают следующие особенности
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
*наличие более низких амплитудных значений переключающих токов и высоких значений рассеиваемой мощности
*наличие более высоких амплитудных значений переключающих токов
*изменение формы коммутируемых токов и напряжений
*наличие более высоких значений рассеиваемой мощности
67. Полевой транзистор в линейном режиме используется как
*источник тока, управляемый напряжением на затворе
*сопротивление, управляемое напряжением на затворе
*источник тока, управляемый током на затворе
*сопротивление, управляемое током на затворе
68. Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных»
преобразовательных приборов
*силовые ключи с встроенными системами защиты
*силовые ключи с интегрированными функциями защиты и управления
*силовые ключи с внешними системами защиты и управления
*силовые интеллектуальные модули
69. Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
*период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
*период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
*период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
*период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
70. Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ
*прямо пропорциональна напряжению на затворе
*прямо пропорциональна току коллектора
*обратно пропорциональна напряжению на затворе
*обратно пропорциональна току коллектора
71. Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях
является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода
должно быть
*равно 2-х кратному выходному напряжению выпрямителя
*больше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
*меньше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
*равно выходному напряжению выпрямителя
72. Оптотиристор – это
*тиристор со встроенным в него светоизлучателем
*фототиристор со встроенным в него светоприемником
*тиристор со встроенным в него светоприемником
*фототиристор со встроенным в него светоизлучателем
73. Основными видами перегрузок по напряжению не являются
*характер подключенной нагрузки
*наличие более низких амплитудных значений переключающих токов и высоких значений рассеиваемой мощности
*наличие более высоких амплитудных значений переключающих токов
*изменение формы коммутируемых токов и напряжений
*наличие более высоких значений рассеиваемой мощности
67. Полевой транзистор в линейном режиме используется как
*источник тока, управляемый напряжением на затворе
*сопротивление, управляемое напряжением на затворе
*источник тока, управляемый током на затворе
*сопротивление, управляемое током на затворе
68. Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных»
преобразовательных приборов
*силовые ключи с встроенными системами защиты
*силовые ключи с интегрированными функциями защиты и управления
*силовые ключи с внешними системами защиты и управления
*силовые интеллектуальные модули
69. Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
*период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
*период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
*период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
*период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
70. Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ
*прямо пропорциональна напряжению на затворе
*прямо пропорциональна току коллектора
*обратно пропорциональна напряжению на затворе
*обратно пропорциональна току коллектора
71. Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях
является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода
должно быть
*равно 2-х кратному выходному напряжению выпрямителя
*больше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
*меньше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
*равно выходному напряжению выпрямителя
72. Оптотиристор – это
*тиристор со встроенным в него светоизлучателем
*фототиристор со встроенным в него светоприемником
*тиристор со встроенным в него светоприемником
*фототиристор со встроенным в него светоизлучателем
73. Основными видами перегрузок по напряжению не являются
*характер подключенной нагрузки
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
*коммутационные процессы
*воздействие питающей сети
*короткое замыкание цепи нагрузки
74. Особенностью МОП-транзисторов является
*низкое входное сопротивление и высокое быстродействие
*низкое входное сопротивление и низкое быстродействие
*высокое входное сопротивление и высокое быстродействие
*высокое выходное сопротивление и низкое быстродействие
75. Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает
*предельное обратное напряжение более 100 В
*низкую инерционность прибора
*время обратного восстановления не более 0,3 мкс
*падение прямого напряжения от 0,3 до 0,6 В
76. Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока
коллектора от напряжения между
*затвором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
*затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
*коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
*коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
77. Плоскостные диоды
*имеют малую площадь p-n-перехода
*используются для выпрямления малых токов
*используются для выпрямления больших токов
*имеют большую площадь p-n-перехода
78. Полевые транзисторы нельзя включать по схеме
*с общим затвором (ОЗ)
*с общим стоком (ОС)
*с общим истоком (ОИ)
*с общей базой (ОБ)
79. Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
*прямо пропорциональна среднему выходному току драйвера
*прямо пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
*обратно пропорциональна среднему выходному току драйвера
*обратно пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
80. При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих
вертикальный канал, образуется паразитный
*p-n-переход
*униполярный транзистор
*биполярный транзистор
*n-p-переход
*коммутационные процессы
*воздействие питающей сети
*короткое замыкание цепи нагрузки
74. Особенностью МОП-транзисторов является
*низкое входное сопротивление и высокое быстродействие
*низкое входное сопротивление и низкое быстродействие
*высокое входное сопротивление и высокое быстродействие
*высокое выходное сопротивление и низкое быстродействие
75. Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает
*предельное обратное напряжение более 100 В
*низкую инерционность прибора
*время обратного восстановления не более 0,3 мкс
*падение прямого напряжения от 0,3 до 0,6 В
76. Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока
коллектора от напряжения между
*затвором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
*затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
*коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
*коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
77. Плоскостные диоды
*имеют малую площадь p-n-перехода
*используются для выпрямления малых токов
*используются для выпрямления больших токов
*имеют большую площадь p-n-перехода
78. Полевые транзисторы нельзя включать по схеме
*с общим затвором (ОЗ)
*с общим стоком (ОС)
*с общим истоком (ОИ)
*с общей базой (ОБ)
79. Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
*прямо пропорциональна среднему выходному току драйвера
*прямо пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
*обратно пропорциональна среднему выходному току драйвера
*обратно пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
80. При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих
вертикальный канал, образуется паразитный
*p-n-переход
*униполярный транзистор
*биполярный транзистор
*n-p-переход
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
81. При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
*резко увеличивается
*резко уменьшается
*равна нулю
*увеличивается постепенно
82. При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода
*стремится к бесконечности
*меньше нуля
*равно нулю
*имеет конечную величину
83. При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
*через устройство синхронизации (УС) на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
*через устройство синхронизации (УС) на вход нуль - органа (НО)
*через устройство синхронизации УС на вход генератора пилообразного напряжения (ГПН)
*на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
84. Ток стока IGBT транзистора
*обратно пропорционален эквивалентной крутизне
*обратно пропорционален напряжению на затворе
*прямо пропорционален эквивалентной крутизне
*прямо пропорционален напряжениюна затворе
85. Главным достижением развития современных силовых ключей является
*объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций переключателя и защиты
*объединение в едином корпусе прибора функций переключателя, управления и защиты
*объединение в едином корпусе прибора источника тока и функций переключателя и защиты
*объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций управления и защиты обрабатываться непосредственно в блоке БОИ ; транслироваться в блок коммутационной аппаратуры КА
86. Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут
*транслироваться в устройство контроля и диагностики (УКД)
*обрабатываться непосредственно в блоке БОИ
*транслироваться в блок коммутационной аппаратуры КА
*транслироваться в блок датчиков Д
87. Силовой диод содержит
*два p-n-перехода
*один p-n-переход
*три p-n-перехода
*один p-n-p-переход
81. При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
*резко увеличивается
*резко уменьшается
*равна нулю
*увеличивается постепенно
82. При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода
*стремится к бесконечности
*меньше нуля
*равно нулю
*имеет конечную величину
83. При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
*через устройство синхронизации (УС) на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
*через устройство синхронизации (УС) на вход нуль - органа (НО)
*через устройство синхронизации УС на вход генератора пилообразного напряжения (ГПН)
*на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
84. Ток стока IGBT транзистора
*обратно пропорционален эквивалентной крутизне
*обратно пропорционален напряжению на затворе
*прямо пропорционален эквивалентной крутизне
*прямо пропорционален напряжениюна затворе
85. Главным достижением развития современных силовых ключей является
*объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций переключателя и защиты
*объединение в едином корпусе прибора функций переключателя, управления и защиты
*объединение в едином корпусе прибора источника тока и функций переключателя и защиты
*объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций управления и защиты обрабатываться непосредственно в блоке БОИ ; транслироваться в блок коммутационной аппаратуры КА
86. Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут
*транслироваться в устройство контроля и диагностики (УКД)
*обрабатываться непосредственно в блоке БОИ
*транслироваться в блок коммутационной аппаратуры КА
*транслироваться в блок датчиков Д
87. Силовой диод содержит
*два p-n-перехода
*один p-n-переход
*три p-n-перехода
*один p-n-p-переход
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
88. Фототиристор – это фотоэлектронный прибор
*имеющий трехслойную структуру
*управляемый электрическими импульсами
*имеющий четырехслойную структуру
*управляемый световыми импульсами
89. В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
*наличие длительных многократных перегрузок по току
*индуктивный характер нагрузки
*наличие противонаправленной ЭДС вращения
*наличие кратковременных многократных перегрузок по току
90. Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый
*не полностью управляемый прибор
*полностью управляемый током прибор
*неуправляемый прибор
*полностью управляемый электрическим полем прибор
91. Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с
изолированным затвором имеет
*более низкое быстродействие
*более высокое сопротивление канала в проводящем состоянии
*более высокое быстродействие
*более низкое сопротивление канала в проводящем состоянии
92. Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц
*биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
*тиристоры (SCR)
*биполярные и МОП-транзисторы
*симисторы (триаки)
93. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в
*сварочных аппаратах
*робототехнике
*печах СВЧ
*линиях электропередач
94. Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей
точки транзистора, не зависит от
*фронта нарастания силового тока
*величины дополнительной индуктивности
*типа транзистора
*величины защитной емкости
95. Статический индукционный транзистор СИТ может работать при
*обратном смещении затвора (режим биполярного транзистора)
*прямом смещении затвора (режим полевого транзистора)
88. Фототиристор – это фотоэлектронный прибор
*имеющий трехслойную структуру
*управляемый электрическими импульсами
*имеющий четырехслойную структуру
*управляемый световыми импульсами
89. В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
*наличие длительных многократных перегрузок по току
*индуктивный характер нагрузки
*наличие противонаправленной ЭДС вращения
*наличие кратковременных многократных перегрузок по току
90. Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый
*не полностью управляемый прибор
*полностью управляемый током прибор
*неуправляемый прибор
*полностью управляемый электрическим полем прибор
91. Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с
изолированным затвором имеет
*более низкое быстродействие
*более высокое сопротивление канала в проводящем состоянии
*более высокое быстродействие
*более низкое сопротивление канала в проводящем состоянии
92. Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц
*биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
*тиристоры (SCR)
*биполярные и МОП-транзисторы
*симисторы (триаки)
93. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в
*сварочных аппаратах
*робототехнике
*печах СВЧ
*линиях электропередач
94. Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей
точки транзистора, не зависит от
*фронта нарастания силового тока
*величины дополнительной индуктивности
*типа транзистора
*величины защитной емкости
95. Статический индукционный транзистор СИТ может работать при
*обратном смещении затвора (режим биполярного транзистора)
*прямом смещении затвора (режим полевого транзистора)
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
*прямом смещении затвора (режим биполярного транзистора)
*обратном смещении затвора (режим полевого транзистора)
96. Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора
*дополнительным слоем полупроводника n-типа
*дополнительным слоем полупроводника p-типа
*дополнительным слоем полупроводника p-n-типа
*дополнительным слоем полупроводника n-p-типа
97. Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные
группы, работающие
*только в выпрямительном режиме
*только в инверторном режиме
*в инверторном режиме
*в выпрямительном режиме
98. Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
*идеальный диод
*катушку индуктивности
*электрическую батарею
*резистор с динамическим сопротивлением
99. Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей
выполняют
*повышают уровень индуктивной связи между проводниками
*гальваническую развязку между основными токоведущими шинами схемы и драйверами ключей
*уменьшают индуктивную связь между проводниками
*повышают уровень емкостной связи между цепями
100. Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
*наличие участка вторичного пробоя
*высокая температурная устойчивость
*низкая температурная устойчивость
*отсутствие участка вторичного пробоя
101. Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе
*управляемых транзисторных генераторов
*импульсных трансформаторов
*R-L-Сцепей
*интегральных микросхем
102. Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима
насыщения осуществляется
*путем размыкания его базовой цепи
*путем размыкания его эмиттерной цепи
*путем размыкания его коллекторной цепи
*путем размыкания его затворной цепи
*прямом смещении затвора (режим биполярного транзистора)
*обратном смещении затвора (режим полевого транзистора)
96. Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора
*дополнительным слоем полупроводника n-типа
*дополнительным слоем полупроводника p-типа
*дополнительным слоем полупроводника p-n-типа
*дополнительным слоем полупроводника n-p-типа
97. Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные
группы, работающие
*только в выпрямительном режиме
*только в инверторном режиме
*в инверторном режиме
*в выпрямительном режиме
98. Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
*идеальный диод
*катушку индуктивности
*электрическую батарею
*резистор с динамическим сопротивлением
99. Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей
выполняют
*повышают уровень индуктивной связи между проводниками
*гальваническую развязку между основными токоведущими шинами схемы и драйверами ключей
*уменьшают индуктивную связь между проводниками
*повышают уровень емкостной связи между цепями
100. Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
*наличие участка вторичного пробоя
*высокая температурная устойчивость
*низкая температурная устойчивость
*отсутствие участка вторичного пробоя
101. Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе
*управляемых транзисторных генераторов
*импульсных трансформаторов
*R-L-Сцепей
*интегральных микросхем
102. Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима
насыщения осуществляется
*путем размыкания его базовой цепи
*путем размыкания его эмиттерной цепи
*путем размыкания его коллекторной цепи
*путем размыкания его затворной цепи
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
103. Электрический пробой силового диода возникает, когда
*обратное напряжение уменьшается по отношению к установленному порогу
*обратное напряжение увеличивается сверх установленного порога
*обратное напряжение отсутствует
*обратное напряжение равно значению установленного порога
104. Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
*энергии
*информации
*тока
*напряжения
105. IGBT транзистор не находит применение в области
*высоких напряжений
*высоких частот
*высоких мощностей
*высоких токов коммутации
106. Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
*автоэлектронике
*сварочных аппаратах
*аудиотехнике
*видеотехнике
107. SIT транзисторы производятся с каналами
*только p-типа
*только n-типа
*n-типа
*p-типа
108. Транзисторы Дарлингтона используют для
*увеличения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
*уменьшения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
*уменьшения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
*увеличения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
109. К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится
*максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
*энергия, которая может выделиться в тиристоре без его разрушения
*напряжение лавинного пробоя
*ударный ток
110. При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода
*больше нуля
*меньше нуля
*стремится к бесконечности
103. Электрический пробой силового диода возникает, когда
*обратное напряжение уменьшается по отношению к установленному порогу
*обратное напряжение увеличивается сверх установленного порога
*обратное напряжение отсутствует
*обратное напряжение равно значению установленного порога
104. Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
*энергии
*информации
*тока
*напряжения
105. IGBT транзистор не находит применение в области
*высоких напряжений
*высоких частот
*высоких мощностей
*высоких токов коммутации
106. Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
*автоэлектронике
*сварочных аппаратах
*аудиотехнике
*видеотехнике
107. SIT транзисторы производятся с каналами
*только p-типа
*только n-типа
*n-типа
*p-типа
108. Транзисторы Дарлингтона используют для
*увеличения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
*уменьшения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
*уменьшения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
*увеличения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
109. К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится
*максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
*энергия, которая может выделиться в тиристоре без его разрушения
*напряжение лавинного пробоя
*ударный ток
110. При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода
*больше нуля
*меньше нуля
*стремится к бесконечности
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
*равно нулю
111. В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью
*электрического поля, перпендикулярного направлению тока
*электрического поля, параллельного направлению тока
*тока, перпендикулярного направлению напряжения
*тока, параллельного направлению напряжения
112. К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения
относятся
*время нарастания
*время запаздывания обратного напряжения
*время выключения
*время установления
113. В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с
непосредственной связью содержатся
*две системы управления выпрямительным режимом (СУВР)
*две системы управления инверторным режимом (СУИР)
*три системы управления выпрямительным режимом (СУВР)
*три системы управления инверторным режимом (СУИР)
114. Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют
*магнитные выключатели
*плавкие предохранители общего назначения
*быстродействующие плавкие предохранители
*биметаллические выключатели
115. К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся
*максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
*ударный ток
*напряжение лавинного пробоя
*напряжение переключения тиристора
116. Транзистор – это полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя и более выводами
117. В основе биполярного транзистора лежит трехслойная полупроводниковая структура
118. В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником
носителей зарядов, называется
Эмиттер
119. В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от
полярности приложенного к переходам напряжения
Инверсном
*равно нулю
111. В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью
*электрического поля, перпендикулярного направлению тока
*электрического поля, параллельного направлению тока
*тока, перпендикулярного направлению напряжения
*тока, параллельного направлению напряжения
112. К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения
относятся
*время нарастания
*время запаздывания обратного напряжения
*время выключения
*время установления
113. В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с
непосредственной связью содержатся
*две системы управления выпрямительным режимом (СУВР)
*две системы управления инверторным режимом (СУИР)
*три системы управления выпрямительным режимом (СУВР)
*три системы управления инверторным режимом (СУИР)
114. Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют
*магнитные выключатели
*плавкие предохранители общего назначения
*быстродействующие плавкие предохранители
*биметаллические выключатели
115. К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся
*максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
*ударный ток
*напряжение лавинного пробоя
*напряжение переключения тиристора
116. Транзистор – это полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя и более выводами
117. В основе биполярного транзистора лежит трехслойная полупроводниковая структура
118. В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником
носителей зарядов, называется
Эмиттер
119. В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от
полярности приложенного к переходам напряжения
Инверсном
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
Отсечки
120. Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо
сместить переходы эмиттер-база - в прямом направлении коллектор-база - в обратном направлении
121. В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей,
перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
малой толщины базы большой площади коллекторного p-n-перехода
122. В активном режиме работы биполярного транзистора
выходной ток прямо пропорционален входному току
123. В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых
приращений тока базы можно заменить источником тока коллектора, управляемого током базы
124. Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо
сместить переходы
эмиттер-база - в прямом направлении ; коллектор-база - в прямом направлении
125. Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима
в режим насыщения напряжение перехода коллектор – база равно нулю
126. Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо
сместить переходы коллектор-база - в обратном направлении эмиттер-база - в обратном направлении
127. Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима
в режим отсечки напряжение между базой и эмиттером равно нулю
128. В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить замкнутым ключом, на котором падает небольшое напряжение
129. В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера
имеют
одинаковые свойства и геометрические размеры
130. В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может
находиться в следующих положениях
в точке отсечки в точке насыщения
Отсечки
120. Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо
сместить переходы эмиттер-база - в прямом направлении коллектор-база - в обратном направлении
121. В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей,
перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
малой толщины базы большой площади коллекторного p-n-перехода
122. В активном режиме работы биполярного транзистора
выходной ток прямо пропорционален входному току
123. В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых
приращений тока базы можно заменить источником тока коллектора, управляемого током базы
124. Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо
сместить переходы
эмиттер-база - в прямом направлении ; коллектор-база - в прямом направлении
125. Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима
в режим насыщения напряжение перехода коллектор – база равно нулю
126. Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо
сместить переходы коллектор-база - в обратном направлении эмиттер-база - в обратном направлении
127. Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима
в режим отсечки напряжение между базой и эмиттером равно нулю
128. В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить замкнутым ключом, на котором падает небольшое напряжение
129. В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера
имеют
одинаковые свойства и геометрические размеры
130. В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может
находиться в следующих положениях
в точке отсечки в точке насыщения
https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза https://studwork.org/info/147162 Помощь студентам, готовые работы для Вуза
131. В режиме отсечки силового биполярного транзистора выделяемая мощность очень мала, а выходное напряжение высокое
132. В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках
отсечки и насыщения будут
значительно меньше мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
133. Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей
точки транзистора, не зависит от
величины дополнительной индуктивности
134. С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо одновременно увеличивать параметры M и N
135. Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем прямо пропорционален напряженности магнитного поля сердечника ; обратно пропорционален числу витков дросселя
131. В режиме отсечки силового биполярного транзистора выделяемая мощность очень мала, а выходное напряжение высокое
132. В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках
отсечки и насыщения будут
значительно меньше мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
133. Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей
точки транзистора, не зависит от
величины дополнительной индуктивности
134. С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо одновременно увеличивать параметры M и N
135. Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем прямо пропорционален напряженности магнитного поля сердечника ; обратно пропорционален числу витков дросселя
1 2 3