Файл: 2. расчетно теоретическая часть 1 Проектирование усилительного модуля.rtf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 23.11.2023

Просмотров: 137

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

СОДЕРЖАНИЕ

2.1.5 Проектирование каскада МШУНа рис.6 представлен вариант двухтранзисторной схемы усилителя. Сигнал СВЧ на входе разветвляется на два канала и поступает на затворы транзисторов. Истоки этих транзисторов заземлены через RC цепи. Выходные сигналы со стоков транзисторов складываются, причем, в стоковой цепи одного из транзисторов включена СВЧ- цепь, содержащая RLC контур и индуктивное сопротивление. По существу, эта цепь играет роль СВЧ-сумматора. Выходной СВЧ-сигнал подается на входы транзисторов, осуществляя обратную связь.Для достижения требуемой полосы частот необходимо провести оптимизацию параметров схем. В процессе оптимизации рассчитывались и включались в функцию цепи как электрические, так и шумовые характеристики усилителя. На рис.7 изображены основные характеристики усилителя: Кр(f) и F(f), рассчитанные для оптимизированной схемы. Оптимизация проводилась по следующим параметрам: индуктивностям L1, L2, L3; длинам 50-омных отрезков линий l2 и l3 и сопротивлению R4. В результате были получены следующие значения этих переменных параметров: L1=0,62 нГ, L2=0,41нГ, L3=2,25 нГ, Rп= 227Ом, l3=1,19мм, l2=0,17 мм. При оптимизации были достигнуты следующие параметры усилителя: полоса частот 7...10 ГГц; коэффициент усиления Кр более 9 дБ; неравномерность Кр не более 2 дБ; коэффициент шума 1,4На основании проведенного проектирования была разработана топология гибридного усилителя, эскиз которого представлен на рис.8. Аналогично может быть выполнено проектирование и других каскадов транзисторов усилителей. При проектировании выходных усилителей мощности необходимо использовать нелинейные модели ПТШ, в которых параметры эквивалентной схемы кристалла транзистора (емкости и сопротивления) зависят от напряжений на участках схемы. Отметим также, что для выходных каскадов должен быть проведен тепловой расчет, поскольку на этих каскадах рассеивается мощность, способная существенно повысить температуру полупроводникового кристалла и вывести его из строя. 2.1.6Анализ тепловых моделей ГИС СВЧ различных конструкцийНесмотря на то, что выходная мощность усилительного модуля сравнительно невелика ( 30 мВт), последний каскад работает в электрическом режиме, при котором рассеиваемая мощность приводит к увеличению температуры полупроводникового кристалла, что в свою очередь влияет на параметры прибора в целом. Так увеличение температуры кристалла на 100С приводит к росту подвижности носителей тока (электронов) и тока насыщения, а также к снижению напряжения отсечки полевых транзисторов с барьером Шотки. Выходная мощность и коэффициент стоячей волны напряжения (КСВН) при этом изменяется, что нежелательно для бортовой аппаратуры, в которой размещен усилительный модуль.Кроме того важность решения тепловой задачи связана с тем обстоятельством, что в техническом задании даются предельные границы изменения окружающей среды (- 600С…+850С). Если усилительный модуль находится в температурном режиме +850С, то температура элементов ГИС внутри него, как правило, на 400С выше температуры корпуса, то есть температура полупроводникового кристалла в нерабочем состоянии может повышаться до 1250С. При работе усилительного модуля температура кристалла увеличивается.Предельные температуры, при которых наступает тепловой пробой полупроводника, составляют 1400С…1500С. Таким образом при tокр=1250 С даже небольшое увеличение температуры может привести к тепловому пробою прибора. Все это приводит к необходимости исследования температурных режимов модуля. Одним из направлений в решении тепловой проблемы является разработка конструкции ГИС СВЧ с кристаллами, расположенными в углублениях на лицевой стороне платы, обладающими лучшими электрическими способностями, теплорассеивающими и массо-габаритными характеристиками. В данном разделе рассматриваются тепловые модели двух конструкций ГИС СВЧ: с кристаллами на поверхности и с кристаллами в углублении на лицевой стороне платы.Для количественной оценки и сравнения обоих вариантов конструкций ГИС при их изготовлении были использованы одинаковые материалы, которые обычно распространены в практике конструирования ГИС: в качестве материала основания использовался ковар (29 НК) с теплопроводностью =20 Вт/мк (ковар выбран из-за близости его КЛТР и КЛТР материала подложки платы); материалом подложки был выбран сапфир (монокристаллическая модификация Al2O3) с = 31,5 Вт/мк; связующее вещество – припой ПОС-61 с =390 Вт/мк; кристалл – арсенид галлия с =80 Вт/мк; соединительный проводник Cr-Cu-Ni-Au с =338 Вт/мк.Тепловыделение в окружающую среду происходит в виде тепловых потоков с верхней и боковой поверхности кристалла, а также с контактных проводников, лицевой и боковой поверхностей подложки и боковой поверхности металлического основания (рис. 9), т. е. со всех частей, имеющих температуру выше, чем температура окружающей среды. Температуру окружающей среды и нижней части металлического основания примем равной 200С. Теплообмен осуществляется посредством конвекции. Контактные проводники считаются пластинчатыми с толщиной 30 мкм, то есть двумерными. Расчеты тепловых полей в сечениях А, В, С были выполнены с помощью программы «Тепло» на ПЭВМ. Для расчета тепловых полей использовалась программа решения двумерной стационарной задачи теплопроводности, основанная на решении уравнения Лапласа методом конечных элементов.На рис. 10 показаны рассчитанные тепловые поля в сечениях А (на поверхности подложки) и В (на поверхности кристалла). Здесь изображена четвертая часть теплового поля, что позволяет судить о полной картине поля в связи с его равномерностью и симметричностью.При наличии соединительных проводников максимальный перегрев (от 6,120С до 5,830С) наблюдается на поверхности кристалла. На границе кристалл – связующее вещество перегрев составляет от 4,660С до 4,350С, что связано с отводом части тепла от кристалла за счет конвекции в окружающую среду и через соединительные проводники. На поверхности подложки температура перегрева составляет от 3,220С до 4,50С. Если удалить соединительные проводники, то температура перегрева на поверхности кристалла повышается до 6,390С, т. е. становится больше, чем при наличии проводников, что обеспечивается отсутствием теплоотвода по выводам кристалла, имеющим высокую теплопроводность. Перегрев на границе кристалл – связующее вещество составляет 4,660С, а на поверхности подложки практически не изменяется по сравнению с вариантом с соединительными проводниками.Эскиз второй анализируемой конструкции приведен на рис. 11. Здесь кристалл располагается в углублении в подложке, а соединительные проводники лежат в плоскости поверхности подложки.Расчетные тепловые поля для этого случая приведены на рис. 12. Перегрев температурного поля на поверхности кристалла составляет 1,910С…2,30С. При разрыве проводников максимальная температура увеличивается до 3,30С. На границе кристалл – связующее вещество перегрев не превышает 1,810С (рис. 12б).Из проведенного анализа можно сделать следующие выводы:1. Температура перегрева на поверхности кристалла, лежащего на подложке, примерно в 2 – 3 раза больше температуры кристалла, углубленного кристалла полупроводника; Через соединительные проводники отводится незначительная часть тепла; Температурные поля от кристалла к периферии подложки существенно изменяются в конструкции с углубленным кристаллом. 2.2 Вывод1. Проведен расчет основных параметров модуля: коэффициентов усиления Кр и шума F, потерь, мощности и т. п. Для каждого каскада. Показано, что для достижения заданных параметров: Кр = 30 дБ, F = 3 дБ, выходной мощности Рвых = 30 мВт модуль должен состоять из пяти каскадов, причем первые два – малошумящие, а два последних – усилители мощности.2. Разработана методика проектирования малошумящего каскада усилителя (МШУ), содержащая расчетные и экспериментальные этапы. Предложен метод определения четырех параметров ПТШ, необходимых для построения шумовой модели транзистора. Суть метода заключается в измерении коэффициентов шума транзистора с включенными на его входе трансформатором при нескольких состояниях трансформатора и последующем расчете шумовых параметров Fmin, Rп, GSO, BSO – из решений системы четырех уравнений. Проведены расчеты шумовых параметров для ПТШ типа «Созвездие». Выбрана оригинальная схема МШУ, в которой первый транзистор реализует низкие шумы, а второй – высокий коэффициент усиления. Проведено схемотехническое проектирование усилителя и показано, что один каскад МШУ позволяет реализовать в диапазоне 7…10,5 ГГц следующие параметры: Кр = 9 дБ, F 1,6 дБ, неравномерность Кр 1 дБ. Разработана топология каскада усилителя, выполненного на поликоровой подложке ( = 9,6) толщиной 0,5 мм с размерами 9 х 7,5 мм. Проведен анализ тепловых моделей ГИС усилителя двух конструкций: при размещении кристалла ПТШ на подложке и с углублением кристалла ПТШ в подложку. Показано преимущество последнего способа перед первым по величине допустимого перегрева кристалла. 3. КОНСТРУКТОРСКАЯ ЧАСТЬ3.1 ВведениеКонструкторская часть дипломного проекта включает в себя следующие этапы разработки конструкции: сборку отдельных каскадов и в целом ГИС усилителя на основе разработанной в предыдущем разделе топологии усилителя; выбор типа корпуса для усилительного модуля; выбор материала корпуса; соединение ГИС с основанием; герметизацию корпуса; описание конструкции модуля. 3.2 Разработка ГИС усилителяНа основании топологии усилителя (рис. 8) был разработан гибридно – интегральный усилитель, выполненный на поликоровой подложке (рис. 13). Усилитель выполнен на двух поликоровых подложках толщиной h = 0,5 мм. На первой подложке расположены элементы входной части усилителя, на второй подложке – выходной части усилителя. Для обеспечения возможности подстройки схемы в топологию включены проводящие площадки прямоугольной или квадратной формы. Перемыкая площадки золотыми проводниками диаметром 30 мкм можно увеличивать или уменьшать длины микрополосковых шлейфов. Все резисторы, входящие в эквивалентную схему усилителя выполнены в планарном виде из металла с большим удельным сопротивлением – хрома. Для обеспечения возможности подстраивать сопротивления высокоомные планарные участки перемежевываются с проводящими участками из меди, покрытой золотом. Подстройка производится путем перемыкания этих проводящих участков золотыми проводниками. Конденсаторы С1…С4 сделаны навесными, объемными, состоящими из двух металлических пластинок с диэлектрической пленкой из ТаО или SiO2 между ними. Такая конструкция конденсаторов позволяет реализовать емкости 50…200 пФ. Нижние обкладки конденсаторов соединены с металлическим основанием, на котором располагаются подложки, а верхние обкладки конденсаторов соединены со схемой золотыми проводниками. Транзисторы «Созвездие» выполнены на металлических подставках, которые привариваются к основанию. Электроды транзисторов соединяются с элементами схемы золотыми проводниками. Индуктивные элементы выполнены в виде отрезков золотых проводников длиной l и диаметром d. Величина индуктивности L связана с этими параметрами приближенным соотношением: .Микрополосковые линии на входе и выходе имеют ширину W = 0,5 мм, что соответствует волновому сопротивлению z0 = 50 Ом. 3.3 Выбор типа корпуса для усилительного модуляУсилительные модули для бортовой аппаратуры в последние годы выполняются в виде гибридных интегральных схем (ГИС) усилителей на полевых транзисторах с барьером Шотки, заключенных в герметичный корпус. Достоинство ГИС- малые массо-габаритные параметры и высокая надежность.Корпус является узловым элементом модуля. Он оказывает существенное влияние на его работоспособность, надежность, долговечность, механическую и климатическую устойчивость и стоимость. Конструкция и технология изготовления корпуса определяют степень герметичности и ремонтопригодности модуля, а также уровень интеграции и массо-габаритные параметры модуля и бортовой РЭА в целом.Обычно усилительные модули выпускаются небольшими сериями, при широкой номенклатуре, что требует в принципе, большого разнообразия конструктивных вариантов корпусов. В тоже время для изготовления необходимо применять универсальные методы, в противном случае трудоемкость изготовления модулей и ее стоимость будут в значительной степени определятся трудоемкостью и стоимостью изготовления корпуса, а не собственно ГИС усилителя. Кроме того, следует отметить, что влияет не только на электрические и эксплуатационные характеристики модуля, но и на выбор способа его сборки, монтажа и герметизации. Поэтому разработка конструкции корпуса усилительного модуля и технологии его изготовления является комплексной задачей, требующей одновременного решения проблем, которые зачастую предъявляют противоречивые требования, такие же как в конструктивном и технологическом плане.Значительная часть выпускаемых в мире микросхем низкочастотного диапазона, изготавливается с использованием металлических, металлостеклянных и керамических корпусов. Положение с корпусами для модулей СВЧ существенно отличается от НЧ устройств. Во-первых, благодаря специфике модулей СВЧ, связанной с использованием коаксиальных выводов энергии, применяются в основном толстостенные корпуса. Во-вторых, размеры корпусов для СВЧ модулей таковы, что внутри корпуса могут возникать паразитные виды колебаний электромагнитных волн, влияющих на выходные параметры модуля. В-третьих, очень часто в модулях СВЧ используются ГИС с полупроводниковыми приборами открытого (некорпусированного) вида, что налагает жесткие условия на герметизацию всего модуля в целом.В СВЧ модулях применяются, в основном, металлические корпуса. Из 85 типов усилительных модулей, выпускаемых американскими фирмами, почти три четверти изготовляются в металлических корпусах.Конструктивно корпуса для модулей СВЧ имеют прямоугольную форму и могут быть разделены на три типа; рамочные, чашечные и пенальные.Принципиальные схемы указанных конструкций корпусов приведены на рис.14.В корпусах пенального типа (рис.14а) одна или несколько микрополосковых плат (МПП) располагаются и закрепляются на рамке (основании). На двух противоположных сторонах рамки закрепляются две стенки, служащие для закрепления НЧ и СВЧ соединителей. НЧ - соединитель - металлический штырь диаметром 1 мм, закрепленный в отверстии стенки корпуса с помощью изолятора.СВЧ-соединитель - микрокоаксиал, впаянный в корпус.Рамка с установленной платой (подложкой) и соединителями вставляется в кожух прямоугольной формы. При этом герметизация модуля проводится по торцу периметра в местах стыка кожуха и рамки. В качестве материала рамки и кожуха используется, как правило, титан или сплав - ковар, обладающие близкими по коэффициенту линейного термического расширения (КЛТР) значениями с материалом подложки. К преимуществам корпусов пенального типа следует отнести возможность изготовления высокопроизводительными технологическими процессами - штамповкой и сваркой тонколистового материала.Недостатком корпусов пенального типа является принципиальная невозможность создания надежного заземления по двум сторонам основания, параллельным образующей кожуха. Это ограничивает частотный диапазон работы модуля.Корпуса пенального типа недостаточно жесткие. Кроме того, в них ввод и вывод СВЧ энергии может быть размещен только по двум противоположным сторонам.Корпуса чашечного типа (рис.14б) представляют собой открытую с одной стороны коробку, на основании которой устанавливается плата. Эти корпуса обладают достаточной жесткостью конструкции и обеспечивают хорошую экранировку. К недостаткам их следует отнести возможность только одностороннего монтажа плат и сложности их установки.Корпус рамочного типа (рис.14в) представляет собой открытую с двух сторон рамку, в стенках которой устанавливаются НЧ и СВЧ соединители. Обычно толщина стенок этих корпусов составляет 2-3 мм, что придает им достаточную жесткость и прочность. МПП крепятся непосредственно или через переходную рамку к внутренним рамкам корпуса.Рамочный корпус позволяет за счет возможности двухстороннего монтажа достичь высокой интеграции. Такая конструкция упрощает сборку, монтаж, ремонт и реставрацию платы.На основании проведения всестороннего анализа, для усилительного модуля был выбран корпус рамочного типа, по следующим соображениям:1. Рабочие частоты модуля (7...10 ГГц) достаточно высокие, а потому все соединения между элементами корпуса должны обеспечивать хорошую экранировку. В корпусе рамочного типа число таких соединений небольшое;2. Усилительный модуль имеет высокую степень интеграции и вся ГИС усилителя может выполнятся на двух поверхностях подложки;3. Модуль предназначен для использования в бортовой аппаратуре, поэтому он должен иметь высокую вибростойкость и надежный теплоотвод от кристалла, полупроводника, что обеспечивает корпус рамочного типа;4. СВЧ- соединители должны быть плотно вмонтированы в стенки корпуса, для предотвращения натекания (расгерметизации) корпуса.5. Модуль имеет достаточно высокое значение коэффициента усиления (Кр>0 дБ), что требует использования в нем многокаскадной схемы усилителя с числом каскадов более 5. Поскольку каскады однотипные и выходная мощность невелика, то усилительный модуль набирается из 5 одинаковых каскадов. Такая конструкция модуля имеет существенные преимущества перед цельной 5-каскадной схемой, поскольку настройка одного каскада менее трудоемка, а изготовление каскадов может вестись крупными партиями, что снижает стоимость модуля.С другой стороны каскады должны быть жестко соединены друг с другом, что наиболее удобно делать в корпусе на одном металлическом основании. Для крепления каскадов помимо пайки можно использовать и механическое крепление микровинтами.3.4. Выбор материала корпусаВыбор материала корпуса делается на основании следующих требований, предъявляемых к материалу:- минимальный вес;- коррозионная стойкость;- минимальный КЛТР, соизмеримый с КЛТР материала подложки;- высокие электро- и теплопроводность;- технологичность механической обработки.В таблице 2 приведены параметры наиболее распространенных конструкционных материалов для корпусов и подложек. Анализ таблицы 2 показывает, что наилучшими тепловыми параметрами обладают титан и ковар. Их теплопроводность (

4. ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ

4.2 Особенности процесса сварки титана

4.3 Технология изготовления сварных рамок корпусов

3 с помощью грузика и охлаждали до комнатной температуры.

Оценку надежности паяных соединений проводили путем термоциклирования: охлаждения в жидком азоте до –1960С за 1-2 минуты – нагрев до +1000С на электроплитке за 3-5 минут. Паяные соединения подвергали испытанию на влагоустойчивость в течении 21 суток при t = 400С и относительной влажности 95…98%.

Более подробно этот способ будет описан в технологическом разделе дипломной работы.
3.6 Оптимизация размеров корпуса модуля
Поскольку составляющая массы корпуса в общем массе модуля велика, то в работе проведены работы с целью максимального снижения массы корпуса. Во-первых, было показано, что толщина стенок корпуса может быть снижена до 2 мм, а в местах подключения к модулю СВЧ - разъемов сделаны расширения до 5 мм для возможности посадки в эти места коаксиально-микрополосковых переходов типа ТС 2.236.061 с внешним диаметром 6 мм (М6). Во–вторых, ширина микрополосковых плат была уменьшена до размеров L = 9 мм.

В-третьих, высота корпуса была снижена до 4 мм, поскольку ширина внутренней части корпуса составляет 7 мм, то получившийся волновод является запредельным, т. е. в нем не распространяются « паразитные» типы волн.
3.7 Герметизация СВЧ модуля
Надежность микросхем в процессе работы и при хранении в значительной степени определяется герметичностью корпуса микросборок. Герметизацию проводят для полной изоляции элементов микросхемы и электрических соединений от контакта с окружающей средой, всегда содержащей влагу и другие химически активные компоненты, способные вызвать постепенные отказы. Окружающий воздух практически всегда представляет собой паровоздушную смесь. Проникая к активным частям микросхемы, влага растворяет газы и загрязнения и образует в условиях электрических полей электролитические пары. В свою очередь, это приводит к возникновению отказов, выражающихся в шунтирующих утечках, коротких замыканиях и обрывах.

Воздействие на изделие одного и тем более одновременно нескольких климатических факторов очень усложняет проблему обеспечения его высокой надежности. Поэтому повышение надежности РЭА неразрывно связано с разработкой эффективных способов ее герметизации.

При выборе и разработке способа герметизации обычно решаются две задачи, а именно: обеспечивается защита РЭА от дестабилизирующего воздействия климатических факторов атмосферы и одновременно исключается возможное дестабилизирующее влияние самого герметизирующего материала или материалов конструкционных элементов на изделие.


Наиболее распространенным методом герметизации СВЧ модулей в металлических толстостенных корпусах является пайка их элементов (крышек и оснований) с помощью низкотемпературных припоев с применением жидких флюсов. При этом откачка и наполнение внутриприборного объема инертным газом осуществляется индивидуально для каждой микросборки на откачных постах через специально предусмотренную в каждом модуле откачную трубочку (штенгель), которая впоследствии герметизируется (пережимается механически, запаивается, сваривается и т. д.). 23.

Указанный вид герметизации универсальный. Однако, как показала практика, это нестабильный и трудоемкий процесс, имеющий ряд недостатков, и, прежде всего, из-за наличия штенгеля. Штенгельная откачка, как правило, трудоемкая операция.

Наиболее перспективным методом герметизации СВЧ модулей является микроплазменная сварка плавлением. При этом герметизация модуля совмещена с бесштенгельной откачкой и наполнением инертным газом в едином технологическом процессе, который предусматривает эвакуацию воздуха из внутреннего объема модуля, его наполнение инертным газом с последующей герметизацией методом сварки.

Откачка и наполнение объема проводятся одновременно в подколпачном устройстве модернизированной установки типа УКСМ-3М через специально предусмотренные между крышкой и корпусом откачные отверстия, впоследствии заваренные при герметизации последнего шва модуля до вскрытия камеры установки.

Экспериментально было установлено, что наиболее удобной формой откачных отверстий является прямоугольная проточка на торцевой поверхности основания корпуса с размерами 2х2х0,3 мм, которая при соединении корпуса с крышкой образует прямоугольное отверстие. Выбранная форма и размеры проточки позволяют проводить качественную сварку кромок элементов корпуса с последующим вскрытием модуля и повторной ее герметизации сваркой.
3.8 Оптимизация времени бесштенгельной откачки
С целью определения количества откачных отверстий и уточнения их геометрических размеров проведем оценку основных характеристик, определяющих время установления равновесного давления (пропускной способности откачного отверстия), быстроты и длительности откачки. Рассмотрим схему откачной системы, приведенную на рис. 16. Откачиваемый объем 1 соединенен с вакуумным насосом 3

с помощью вакуумопровода 2, имеющего длину L и диаметр d. Допустим, что температура откачиваемого газа постоянная, а вакуумная система не натекает и внутри нее нет газовыделения. Поскольку площадь оптимального прямоугольного отверстия 2 х 0,3 = 0,6 мм2, то эквивалентное ему по площади круглое отверстие будет иметь диаметр d = 0,87 мм. Длина трубопровода равна толщине стенки корпуса L = 2 мм. Откачка воздуха из объема 1 производится от атмосферного давления (760 мм рт. ст. до 10-1 мм рт. ст.) с помощью форвакуумного насоса ВН-461М с быстродействием Sн = 0,86 л/с с предельным вакуумом 10-3 мм рт. ст.

Средняя длина свободного пути молекул газа обратно пропорциональна молекулярной концентрации газа N1:

,

где - диаметр молекулы, см;

Т – абсолютная температура газа, 0С;

С – постоянная, зависящая от рода газа.

При постоянной температуре:

,

где Р – давление, 1 – коэффициент, численно равный длине свободного пути молекул газа при давлении, равном единице.

Для воздуха при Т = 200С, 1 = 4,7210-5 м, а Р1 будет изменяться от Р1 = 7,6 102 мм рт. ст. до Р1 = 10-1 мм рт. ст. Среднее давление в трубопроводе будет составлять Р1/2. Следовательно Р = 3,8 102, а Р = 0,05. Поэтому



Отношения /d составляют:



При /d 510-3 режим течения будет вязкий, а при /d 1 – молекулярный.

Определим пропускную способность трубопровода для молекулярного режима, которая равна:



Длительность откачки определяется зависимостью:



При UM SH формула упрощается:




Отсюда,



Для V = 20 см3 имеем:



Зависимость t от V изображена на рис. 17.
3.9 Конструкция модуля
Для построения модуля выбрана 5-каскадная схема из балансных и небалансных каскадов, выполненных на единой поликоровой подложке и одиночные балансные каскады, настраиваемые по минимуму шума и по максимуму мощности для входных и выходных каскадов (рис. 18).

В модуле применяются миниатюрные разделительные конденсаторы на основе окиси кремния, в цепи питания истока. Конденсаторы выделяют малые потери вплоть до 17 ГГц. Поликоровые платы припаиваются на коваровые или титановые основания. Основание покрыто никелем - 6 мкм и олово-висмутом - 3 мкм и спаяно с микросхемами припоем ПОС-61 при t = 2000С.

Каждая плата проверяется по параметрам в держателе для микросхемы. Конструкция основания позволяет независимо от пайки обеспечить хорошее заземление по СВЧ.

Конструктивно модуль состоит из платы (ограничителя), однокаскадная плата, настроенная по минимальному коэффициенту шума и 5 – каскадный усилитель платы. Если 5 – каскадная плата позволяет получить требуемые параметры, то возможна компоновка модуля без однокаскадной платы (ограничительная плата, 5 – каскадная плата, 50 – омная линия). Все платы укрепляются винтами в корпусе. Выводы питания и СВЧ – выводы впаиваются в корпус при t = 1500С припоем ПОС-61. Герметичный СВЧ – вывод, применяемый в модуле, обеспечивает КСВН, не более 1,4 во всем диапазоне частот.

Отдельные платы и СВЧ – выводы соединены через золотые лепестки сваркой. С экранированной стороны все платы соединены между собой лепестками, которые припаиваются к основанию микросхемы, а крайние платы– к корпусу. Выводы питания размещаются в нижней части корпуса. Для нормальной работы усилителя напряжение между стоком и истоком транзистора должно быть +2,5 В. Напряжение +9 В подается на сток транзистора через микросхему, которая обеспечивает стабильное напряжение 2 %. Собранный модуль проверяется и настраивается по основным параметрам: коэффициент усиления, КСВН, неравномерность КУ.

В усилительных каскадах использовались полевые транзисторы типа «Полет» и «Созвездие». Транзистор является арсенид – галлиевым транзистором с каналом n-типа, с барьером Шотки. Для усиления КУ необходимо использовать несколько усилительных каскадов. Основная трудность каскадирования состоит в опасности самовозбуждения усилителей на частоте, где коэффициент устойчивости К I. Поэтому при каскадировании усилительных каскадов необходимо принимать специальные меры для уменьшения обратной связи между транзисторами.

3.10 Характеристики усилительного модуля
3.10. 1 Защитное устройство на ограничительных диодах

Для увеличения предельно допустимой входной мощности в модуле применяется защитное устройство на ограничительных диодах типа «Параграф», параллельно включенных в 50-омную линию, выполненную на поликоровой подложке толщиной 0,5 мм. Микроплата ограничительного устройства имеет определенные размеры. При малом сигнале выбранная схема согласования позволяет получить потери не более 0,8 дБ (рис.19). Ограничение составляет 15 дБ при уровне непрерывной входной мощности 2 Вт.

Для лучшего согласования целесообразно производить отбор диодов с величиной емкости не менее 0,35 пФ и с резким увеличением на диод U=0,4 Вт, что обеспечивает лучшие ограничивающие свойства.

Разработанный ограничитель на диодах исследован на воздействие импульсной мощности 15 Вт при длительных импульсах 1 мкс и частоте повторений 10 ГГц. Как следует из результатов исследования, время восстановления после воздействия импульса составляет 100-200нс.

3.10.2 Температурная зависимость КУ усилительного модуля

Температурная устойчивость усилителя была проверена в диапазоне температур –600С +850С. Результаты исследования приведены на рис. 20, Из него следует, что при изменении температуры от –600С до +850С КУ изменяется на 6 дБ.

3.10.3Надежность модуля

Модуль отвечает требованиям, предъявляемым к аппаратуре наземного и бортового, самолетного применения. Надежность прибора обеспечивается надежностью его узлов и деталей, малым количеством навесных элементов.
3.11 Вывод
1. На основании разработанной в предыдущем разделе топологии каскада усилителя предложена ГИС, состоящая из двух поликоровых плат, на которых размещены пассивные элементы каскада (планарные резисторы и навесные емкости), соединенные между собой золотыми проволочками. Платы разнесены на металлическом основании, а в зазоре между ними устанавливаются кристаллы полевых транзисторов и навесные емкости. Такая конструкция позволяет сравнительно просто осуществить сборку каскада и обеспечить необходимый тепловой режим выходных каскадов модуля.

2. Обоснован выбор типа корпуса для усилительного модуля. Из трех рассмотренных типов (пенального, чашечного, рамочного) выбран рамочный корпус, позволяющий, в частности, за счет двухстороннего монтажа достичь высокой степени интеграции, упростить сборку, монтаж, ремонт и реставрацию модуля.