Файл: Учебное пособие для студентов 2го курса автф направлений 27. 03. 04 Управление в технических системах.docx

Определите характер переходного процесса на этапе формирования выходных импульсов (на заряде или разряде конденсатора). Укажите, чему соответствует начало импульса и его окончание. Определите зависимость

от R и C.

Одновибраторы
1. Откройте файл ov1.ewb, находящийся в папке .../user/electronika/labs/ФПИ+Ген/. Подайте на вход запуска одновибратора последовательность импульсов (параметры функционального генератора: (frequency – 200 kHz; duty cycle-99 %; amplitude – 2,4 V; offset – 2,4 V) Синхронизация проводится по . Канал “B” осциллографа подключить к входу схемы. Удобно будет пометить его другим цветом.

Рис 5.3. Схема для получения временных диаграмм одновибратора.

Зарисуйте осциллограммы входного

и выходных

напряжений, а также осциллограмму напряжения на резисторе

. Последовательно изменяя параметры R и C, в соответствии с таблицей, исследуйте влияние сопротивления R и емкости C на длительность импульса

выхода

.

Таблица 5.3.

Вариант	Эксперимент 1	Эксперимент 2	Эксперимент 3
1	R=0,82 кОм С=1 нФ	R=1,5 кОм С=1нФ	R=0,82 кОм С=2 нФ
2	R=0,91 кОм С=1,3 нФ	R=1,6 кОм С=1,3 нФ	R=0,91 кОм С=2,2 нФ
3	R=0,62 кОм С=0,82 нФ	R=1,5 кОм С=0,82 нФ	R=0,62 кОм С=1,6 нФ
4	R=0,75кОм С=0,91 нФ	R=1,8 кОм С=0,91 нФ	R=0,75 кОм С=2 нФ
5	R=0,51 кОм С=0,75 нФ	R=1,3 кОм С=0,75 нФ	R=0,51 кОм С=1,6 нФ
6	R= 0,68 кОм С=0,68 нФ	R=1,6 кОм С=0,68 нФ	R=0,68 кОм С=1,5 нФ

Результаты экспериментов занесите в таблицу 5.4.

Таблица 5.4.

	Эксперимент 1	Эксперимент 2	Эксперимент 3
R, кОм
C, нФ
, (нсек)

Определите характер переходного процесса и укажите, чему соответствует начало импульса и его окончание. Определите зависимость

от R и C.

Автоколебательный генератор
1. Откройте файл gen_schmitt1.ewb.

Рисунок 5.4. Схема автогенератора на базе триггера Шмитта.

Зарисуйте осциллограммы выходного напряжения

и напряжения на емкости

. Исследуйте влияние сопротивлений на длительность импульса

и длительность паузы

. Определите зависимость частоты импульсов f от R и C.

Таблица 5.5.

№	Эксперимент 1	Эксперимент 2	Эксперимент 3
1	R1=0,51кОм С=1 нФ R2=0,51 кОм	R1=0,91кОм С=1нФ R2=0,51 кОм	R1=0,51кОм С=1 нФ R2=0,91кОм
2	R1=0,51кОм С=1 нФ R2=0,51 кОм	R1=0,91кОм С=1 нФ R2=0,51кОм	R1=0,51кОм С=1 нФ R2=0,91кОм
3	R1=0,51кОм С=1 нФ R2=0,51 кОм	R1=0,91кОм С=1 нФ R2=0,51 кОм	R1=0,51кОм С=1 нФ R2=0,91кОм
4	R1=0,51кОм С=1 нФ R2=0,51 кОм	R1=0,91кОм С=1 нФ R2=0,51 кОм	R1=0,51кОм С=1 нФ R2=0,91кОм
5	R1=0,51кОм С=1 нФ R2=0,51 кОм	R1=0,91кОм С=1 нФ R2=0,51 кОм	R1=0,51кОм С=1 нФ R2=0,91кОм
6	R1= 0,51кОм С=1 нФ R2=0,51 кОм	R1=0,9 кОм С=1 нФ R2=0,51 кОм	R1=0,51кОм С=1 нФ R2=0,91кОм

Результаты экспериментов занесите в таблицу 5.6.

Таблица 5.6

R1, кОм	Эксперимент 1	Эксперимент 2	Эксперимент 3
R2, кОм
C, нФ
tu, (нсек)
tп, (нсек)
T, (нсек)
f, кГц

Контрольные вопросы к практическому заданию по теме «Формирователи прямоугольных импульсов и генераторы прямоугольных импульсов»

Логические функции, многоэмиттерный транзистор.
Базовый логический элемент ТТЛ (2И-НЕ); схема.
Параметры сигналов ТТЛ.
Формирователи прямоугольных (коротких) импульсов на ТТЛ (ФКИ).
Генераторы на ТТЛ.
Логические элементы ТТЛ с открытым коллектором (эмиттером).
Базовые логические элементы 2И -НЕ, 2ИЛИ-НЕ на МОП транзисторах.

Практическое задание №6

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИТСОРЫ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ

Полевые транзисторы с управляющим P – N переходом широко применяются для реализации схем обработки аналоговых сигналов.

Цель задания:

Изучение основных характеристик полевых транзисторов на основе экспериментально полученных ВАХ.
Расчет структурных параметров транзистора в рабочей точке.

Порядок выполнения задания

Откройте файл ПТ.ewb.
Соберите схему с полевым транзистором с управляющим p-n переходом.
Задавая и изменяя снимите стоко-затворные характеристики , заполните таблицу.
По полученным данным постройте ВАХ транзистора.
Определите напряжение отсечки , а также крутизну проходной характеристики S.
Задавая и изменяя снимите выходные (стоковые) характеристики , заполните таблицу.
По полученным данным постройте ВАХ транзистора.
Определите , , S, используя параметры рабочей точки.