Файл: Учебное пособие для студентов 2го курса автф направлений 27. 03. 04 Управление в технических системах.docx
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 29.11.2023
Просмотров: 147
Скачиваний: 2
СОДЕРЖАНИЕ
Методические указания по оформлению отчёта к практическому заданию.
Краткое руководство к пакету схемотехнического моделирования
Компоненты Electronics Workbench
Приложение к практическому заданию №1
Контрольные вопросы к практическому заданию по теме «Полупроводниковые диоды»
СТАБИЛИТРОНЫ И СХЕМЫ НА СТАБИЛИТРОНАХ И ДИОДАХ
Приложение к практическому заданию №2
Контрольные вопросы к практическому заданию по теме «Стабилитроны и схемы на стабилитронах и диодах»
Контрольные вопросы к практическому заданию по теме «Биполярные транзитсоры»
Контрольные вопросы к практическому заданию по теме «Операционные усилители»
ФОРМИРОВАТЕЛИ ПРЯМОУГОЛЬНЫХ ИМПУЛЬСОВ И ГЕНЕРАТОРЫ ПРЯМОУГОЛЬНЫХ ИМПУЛЬСОВ
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИТСОРЫ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ
МОП ТРАНЗИСТОРЫ С ИНДУЦИРОВАННЫМ КАНАЛОМ
Расчётная часть
Стокозатворные характеристики получили свое название от зависимости . Необходимо определить напряжение отсечки , крутизну проходной характеристики S, выходное сопротивление , дифференциальное выходное сопротивление , а также напряжение насыщения .
Напряжение отсечки Uотс - один из основных параметров, характеризующих полевой транзистор. При напряжении на затворе, численно равном напряжению отсечки, практически полностью перекрывается канал полевого транзистора, и ток стока при этом стремится к нулю.
Усилительные свойства полевого транзистора целесообразно характеризовать крутизной проходной характеристики S (определяется в рабочей точке).
Выходное сопротивление (определяется в режиме насыщения):
Дифференциальное выходное сопротивление:
Напряжение насыщения:
Контрольные вопросы по теме Полевые транзисторы.
-
Физическая модель полевого транзистора с управляющим P – N переходом. -
Характеристики полевых транзисторов. -
Параметры полевых транзисторов. -
Балансные каскады усилителей с полевыми транзисторами. -
Выходные каскады на полевых транзисторах. Схемы в «уровнях ТТЛ». -
Переключатели аналоговых сигналов на полевых транзисторах. -
Генераторы тока на полевых транзисторах.
Практическое задание №7
МОП ТРАНЗИСТОРЫ С ИНДУЦИРОВАННЫМ КАНАЛОМ
Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом используются для реализации схем аналоговых устройств, благодаря линейности характеристик. Логические схемы и микропроцессорная техника реализуются на ПТ с изолированным затвором и индуцированным каналом, обеспечивающих низкое энергопотребление и высокую нагрузочную способность.
Цель задания:
-
Изучить основные характеристики МОП транзисторов с индуцированным каналом (n-канал) на основе экспериментально полученных ВАХ. -
Выполнить расчет структурных параметров транзистора в рабочей точке.
Порядок выполнения задания
-
Откройте файл ПТ.ewb. -
Соберите схему с МОП транзистором с индуцированным каналом. -
Задавая и изменяя снимите сток затворные характеристики , заполните таблицу №7.1. -
По полученным данным постройте ВАХ транзистора. -
Определите пороговое напряжение , а также крутизну проходной характеристики. -
Задавая и изменяя снимите выходные (стоковые) характеристики , заполните таблицу №7.2. -
По полученным данным постройте ВАХ транзистора. -
Определите , , S, используя параметры рабочей точки.
Рисунок 7.1. Схема цепи с МОП транзистором с индуцированным каналом.
Таблица 7.1.
, В | , В | 1 | 1,1 | 1,2 | 1,3 | 1,4 | 1,5 | 2 | 2,5 | 2,8 |
3 | , мА | | | | | | | | | |
8 | , мА | | | | | | | | | |
Таблица 7.2.
, В | | 0 | 0,5 | 1 | 1,5 | 2 | 3 | 4 | 5 | 8 |
2,5 | , мА | | | | | | | | | |
, В | | | | | | | | | | |
3 | , мА | | | | | | | | | |
, В | | | | | | | | | | |
3,5 | , мА | | | | | | | | | |
, В | | | | | | | | | |
Расчётная часть
Пороговым напряжением называется такое значение напряжения на переходе, начиная с которого полупроводниковый диод проводит ток. При
прямых напряжениях, меньших порогового, переход ток практически не проводит:
Данные определены по графику в точке, где ВАХ начинает значительно отклоняться от горизонтального положения.
Усилительные свойства полевого транзистора целесообразно характеризовать крутизной проходной характеристики S (определяется в рабочей точке).
Выходное сопротивление (определяется в режиме насыщения):
Дифференциальное выходное сопротивление:
Напряжение насыщения:
Контрольные вопросы по теме Полевые транзисторы с изолированным затвором.
-
Физические модели ПТ с изолированным затвором. -
Характеристики ПТ с встроенным каналом. -
Каскады усилителей на ПТ с встроенным каналом. -
Характеристики ПТ с индуцированным каналом. -
Параметры ПТ с изолированным затвором. -
Логические элементы 2И-НЕ на ПТ с изолированным затвором. -
Логические элементы 2ИЛИ-НЕ на ПТ с изолированным затвором.
Практическое задание №8
НАСЫЩЕННЫЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ ИНВЕРТОР (транзисторный ключ)
Насыщенные транзисторные инверторы используются для усиления по мощности импульсных сигналов и согласования логических управляющих схем с широким спектром исполнительных устройств.
Цель задания:
Изучение характеристик насыщенного транзистора инвертора с помощью осциллограмм входного и выходного напряжения. Исследовать длительность фронтов импульсов.
Порядок выполнения работы
-
Соберите схему (рис 8.1) насыщенного транзисторного инвертора БПТ8. -
Подавая на вход с функционального генератора однополярные положительные прямоугольные импульсы частотой 10 (кГц) и амплитудой 4 (В) и изменяя поочередно , , зарегистрировать длительность фронтов: