Файл: Учебное пособие для студентов 2го курса автф направлений 27. 03. 04 Управление в технических системах.docx

Расчётная частьСтокозатворные характеристики получили свое название от зависимости . Необходимо определить напряжение отсечки , крутизну проходной характеристики S, выходное сопротивление , дифференциальное выходное сопротивление , а также напряжение насыщения .Напряжение отсечки U_отс - один из основных параметров, характеризующих полевой транзистор. При напряжении на затворе, численно равном напряжению отсечки, практически полностью перекрывается канал полевого транзистора, и ток стока при этом стремится к нулю.Усилительные свойства полевого транзистора целесообразно характеризовать крутизной проходной характеристики S (определяется в рабочей точке).Выходное сопротивление (определяется в режиме насыщения):Дифференциальное выходное сопротивление:Напряжение насыщения:Контрольные вопросы по теме Полевые транзисторы.

Физическая модель полевого транзистора с управляющим P – N переходом.
Характеристики полевых транзисторов.
Параметры полевых транзисторов.
Балансные каскады усилителей с полевыми транзисторами.
Выходные каскады на полевых транзисторах. Схемы в «уровнях ТТЛ».
Переключатели аналоговых сигналов на полевых транзисторах.
Генераторы тока на полевых транзисторах.

Практическое задание №7

МОП ТРАНЗИСТОРЫ С ИНДУЦИРОВАННЫМ КАНАЛОМ

Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом используются для реализации схем аналоговых устройств, благодаря линейности характеристик. Логические схемы и микропроцессорная техника реализуются на ПТ с изолированным затвором и индуцированным каналом, обеспечивающих низкое энергопотребление и высокую нагрузочную способность.Цель задания:

Изучить основные характеристики МОП транзисторов с индуцированным каналом (n-канал) на основе экспериментально полученных ВАХ.
Выполнить расчет структурных параметров транзистора в рабочей точке.

Порядок выполнения задания

Откройте файл ПТ.ewb.
Соберите схему с МОП транзистором с индуцированным каналом.
Задавая и изменяя снимите сток затворные характеристики , заполните таблицу №7.1.
По полученным данным постройте ВАХ транзистора.
Определите пороговое напряжение , а также крутизну проходной характеристики.
Задавая и изменяя снимите выходные (стоковые) характеристики , заполните таблицу №7.2.
По полученным данным постройте ВАХ транзистора.
Определите , , S, используя параметры рабочей точки.

Рисунок 7.1. Схема цепи с МОП транзистором с индуцированным каналом.Таблица 7.1.

, В	, В	1	1,1	1,2	1,3	1,4	1,5	2	2,5	2,8
3	, мА
8	, мА

Таблица 7.2.

, В		0	0,5	1	1,5	2	3	4	5	8
2,5	, мА
2,5	, В
3	, мА
3	, В
3,5	, мА
3,5	, В

Расчётная частьПороговым напряжением называется такое значение напряжения на переходе, начиная с которого полупроводниковый диод проводит ток. При

прямых напряжениях, меньших порогового, переход ток практически не проводит:

Данные определены по графику в точке, где ВАХ начинает значительно отклоняться от горизонтального положения.

Усилительные свойства полевого транзистора целесообразно характеризовать крутизной проходной характеристики S (определяется в рабочей точке).

Выходное сопротивление (определяется в режиме насыщения):

Дифференциальное выходное сопротивление:

Напряжение насыщения:

Контрольные вопросы по теме Полевые транзисторы с изолированным затвором.

Физические модели ПТ с изолированным затвором.
Характеристики ПТ с встроенным каналом.
Каскады усилителей на ПТ с встроенным каналом.
Характеристики ПТ с индуцированным каналом.
Параметры ПТ с изолированным затвором.
Логические элементы 2И-НЕ на ПТ с изолированным затвором.
Логические элементы 2ИЛИ-НЕ на ПТ с изолированным затвором.

Практическое задание №8

НАСЫЩЕННЫЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ ИНВЕРТОР (транзисторный ключ)

Насыщенные транзисторные инверторы используются для усиления по мощности импульсных сигналов и согласования логических управляющих схем с широким спектром исполнительных устройств.Цель задания:Изучение характеристик насыщенного транзистора инвертора с помощью осциллограмм входного и выходного напряжения. Исследовать длительность фронтов импульсов.Порядок выполнения работы

Соберите схему (рис 8.1) насыщенного транзисторного инвертора БПТ8.
Подавая на вход с функционального генератора однополярные положительные прямоугольные импульсы частотой 10 (кГц) и амплитудой 4 (В) и изменяя поочередно , , зарегистрировать длительность фронтов: