Файл: Учебное пособие для студентов 2го курса автф направлений 27. 03. 04 Управление в технических системах.docx

.



Рисунок 2.3. Последовательный ограничитель (однополупериодный выпрямитель) (1 вариант).



Рисунок 2.4. Последовательный ограничитель со смещением (2 вариант).



Рисунок 2.5. Шунтирующий ограничитель (3 вариант).



Рисунок 2.6. Шунтирующий ограничитель со смещением (4 вариант).



Рисунок 2.7. Шунтирующий ограничитель на стабилитроне (5 вариант).



Рисунок 2.8. Симметричный шунтирующий ограничитель на стабилитрон (6 вариант)

---

Приложение к практическому заданию №2

1. 
   Определение , стабилитрона по графику ВАХ
   
   1. 
      Определим по графику ВАХ интегральное и дифференциальное сопротивления на уровне (Рисунок 2.9, точка О). Для этого проведём в точке О касательную к графику ВАХ.
      

Интегральное сопротивление в точке О равно отношению напряжения к току в этой точке: .

Дифференциальное сопротивление в точке О определяется, как производная напряжения по току , или величина, обратная угловому коэффициенту касательной к графику ВАХ в этой точке, т.е.

.



Рисунок 2.9. Пример определения интегрального и дифференциального сопротивлений стабилитрона на уровне Uобр = Uст/2.

2. 
   Определение , стабилитрона по графику ВАХ
   
   1. 
      Определим по графику ВАХ интегральное и дифференциальное сопротивления на уровне (Рисунок2.10, точка О). Для этого проведём в точке О касательную к графику ВАХ.
      

Интегральное сопротивление в точке О равно отношению напряжения к току в этой точке: .

Дифференциальное сопротивление в точке О определяется, как производная напряжения по току , или величина, обратная угловому коэффициенту касательной к графику ВАХ в этой точке, т.е.

---

.

2. 
   Напряжение стабилизации – напряжение в точке А,
   

Рисунок 2.10. Пример определения интегрального и дифференциального сопротивлений стабилитрона на уровне Iобр = 15мА.

Контрольные вопросы к практическому заданию по теме «Стабилитроны и схемы на стабилитронах и диодах»

1. 
   Вольтамперная характеристика стабилитрона, пробои в стабилитронах.
   
2. 
   Полное и дифференциальное сопротивление стабилитрона.
   
3. 
   Идеальная и идеализированная характеристики стабилитрона.
   
4. 
   Параметрический стабилизатор.
   
5. 
   Тиристоры, симисторы; параметры, ВАХ.
   
6. 
   Эквивалентная схема замещения стабилитрона.
   
7. 
   Источники опорного напряжения.
   

Практическое задание №3

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Краткое теоретическое введение:

Биполярный транзистор - электронный прибор, состоящий из полупроводниковой структуры и имеющий три вывода – эмиттер, коллектор и базу. Транзистор применяют в электронных схемах для усиления тока и напряжения , генерации сигналов , сопряжения с сенсорами. Известны схемы включения транзистора с общей базой, общим коллектором и общим эмиттером. Чаще всего применят схемы включения транзисторов с общим эмиттером. Важнейшими параметрами этой схемы являются входное сопротивление, выходное сопротивление и коэффициент усиления тока.

Цель задания:

Освоить расчет структурных параметров транзистора в схеме с общим эмиттером в рабочей точке на основе семейства входных и выходных ВАХ биполярного транзистора.

Порядок выполнения задания

1. 
   Значения параметров входных ВАХ транзистора.
   
   1. 
      Экспериментальное построение семейства входных ВАХ транзистора - , при . Соберите схему, изображенную на Рисунок 3.1.
      

---

Рисунок 3.1 Схема для экспериментального построения семейства входных ВАХ транзистора.

Изменяя ток базы при заданном напряжении коллектор-эмиттер, регистрируйте напряжение база-эмиттер. Показания занесите в таблицу №1. Наминал транзистора выбирается в соответствие с номером бригады из библиотеки «БПТ8».

Таблица 3.1.

Uкэ, В	Iб, mA	0	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5
0	Uбэ, В
1	Uбэ, В
10	Uбэ, В

2. 
   Значения параметров выходных ВАХ транзистора.
   
   1. 
      Экспериментальное построение семейства выходных ВАХ транзистора – ,, при . Соберите схему, изображенную на рисунке №3.2.
      

Рисунок 3.2 Схема для экспериментального построения семейства выходных ВАХ транзистора.

Изменяя напряжение коллектор – эмиттер, при заданном токе базы, регистрируйте ток коллектора. Показания занесите в таблицу № 3.2.

Таблица 3.2.

Iб, mA	Uкэ, В	0,1	0,2	0,5	1	2	5	10
0	Iк, mA
0,1	Iк, mA
0,2	Iк, mA
0,3	Iк, mA
0,4	Iк, mA
0,5	Iк, mA

---

3. 
   Обработка результатов экспериментов.
   

Постройте семейство входных и семейство выходных ВАХ транзистора.

Используя кусочно–линейную аппроксимацию ВАХ, рассчитайте структурные параметры транзистора для схемы с общим эмиттером в рабочей точке, заданной преподавателем.

---