Файл: Методические указания по выполнению курсовой работы Новосибирск 2022 удк 621. 383. 82.docx
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 05.12.2023
Просмотров: 221
Скачиваний: 1
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего образования
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций
и информатики»
(СибГУТИ)
Савиных В.Л.
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ
Методические указания
по выполнению курсовой работы
Новосибирск
2022
УДК 621.383.82
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ
Рецензент канд. техн. наук, доц.
Савиных В.Л. Разработка интегрального усилителя: методические указания / Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики; каф. Технической электроники. - Новосибирск, 2022. – 30 с.
Приведены методические указания к выполнению курсовой работы на тему Разработка интегрального усилителя. В указаниях приводится структурная и принципиальная схемы проектируемого устройства и их описание. Приведена методика выбора элементной базы и рассмотрены особенности электрического расчета усилителя на полевых и биполярных транзисторах.
Ил. …, табл. …, список лит. - … назв.
Рецензент ктн доц.
Для направлений
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве практикума
© Савиных А.Л., 2022
© Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики, 2022
Оглавление
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего образования
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций
и информатики»
(СибГУТИ)
Савиных В.Л.
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ
Методические указания
по выполнению курсовой работы
Новосибирск
2022
УДК 621.383.82
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ
Рецензент канд. техн. наук, доц.
Савиных В.Л. Разработка интегрального усилителя: методические указания / Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики; каф. Технической электроники. - Новосибирск, 2022. – 30 с.
Приведены методические указания к выполнению курсовой работы на тему Разработка интегрального усилителя. В указаниях приводится структурная и принципиальная схемы проектируемого устройства и их описание. Приведена методика выбора элементной базы и рассмотрены особенности электрического расчета усилителя на полевых и биполярных транзисторах.
Ил. …, табл. …, список лит. - … назв.
Рецензент ктн доц.
Для направлений
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве практикума
© Савиных А.Л., 2022
© Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики, 2022
Оглавление
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего образования
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций
и информатики»
(СибГУТИ)
Савиных В.Л.
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ
Методические указания
по выполнению курсовой работы
Новосибирск
2022
УДК 621.383.82
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ
Рецензент канд. техн. наук, доц.
Савиных В.Л. Разработка интегрального усилителя: методические указания / Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики; каф. Технической электроники. - Новосибирск, 2022. – 30 с.
Приведены методические указания к выполнению курсовой работы на тему Разработка интегрального усилителя. В указаниях приводится структурная и принципиальная схемы проектируемого устройства и их описание. Приведена методика выбора элементной базы и рассмотрены особенности электрического расчета усилителя на полевых и биполярных транзисторах.
Ил. …, табл. …, список лит. - … назв.
Рецензент ктн доц.
Для направлений
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве практикума
© Савиных А.Л., 2022
© Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики, 2022
Оглавление
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего образования
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций
и информатики»
(СибГУТИ)
Савиных В.Л.
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ
Методические указания
по выполнению курсовой работы
Новосибирск
2022
УДК 621.383.82
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ
Рецензент канд. техн. наук, доц.
Савиных В.Л. Разработка интегрального усилителя: методические указания / Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики; каф. Технической электроники. - Новосибирск, 2022. – 30 с.
Приведены методические указания к выполнению курсовой работы на тему Разработка интегрального усилителя. В указаниях приводится структурная и принципиальная схемы проектируемого устройства и их описание. Приведена методика выбора элементной базы и рассмотрены особенности электрического расчета усилителя на полевых и биполярных транзисторах.
Ил. …, табл. …, список лит. - … назв.
Рецензент ктн доц.
Для направлений
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве практикума
© Савиных А.Л., 2022
© Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики, 2022
Оглавление
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего образования
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций
и информатики»
(СибГУТИ)
Савиных В.Л.
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ
Методические указания
по выполнению курсовой работы
Новосибирск
2022
УДК 621.383.82
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ
Рецензент канд. техн. наук, доц.
Савиных В.Л. Разработка интегрального усилителя: методические указания / Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики; каф. Технической электроники. - Новосибирск, 2022. – 30 с.
Приведены методические указания к выполнению курсовой работы на тему Разработка интегрального усилителя. В указаниях приводится структурная и принципиальная схемы проектируемого устройства и их описание. Приведена методика выбора элементной базы и рассмотрены особенности электрического расчета усилителя на полевых и биполярных транзисторах.
Ил. …, табл. …, список лит. - … назв.
Рецензент ктн доц.
Для направлений
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве практикума
© Савиных А.Л., 2022
© Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики, 2022
Оглавление
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего образования
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций
и информатики»
(СибГУТИ)
Савиных В.Л.
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ
Методические указания
по выполнению курсовой работы
Новосибирск
2022
УДК 621.383.82
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ
Рецензент канд. техн. наук, доц.
Савиных В.Л. Разработка интегрального усилителя: методические указания / Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики; каф. Технической электроники. - Новосибирск, 2022. – 30 с.
Приведены методические указания к выполнению курсовой работы на тему Разработка интегрального усилителя. В указаниях приводится структурная и принципиальная схемы проектируемого устройства и их описание. Приведена методика выбора элементной базы и рассмотрены особенности электрического расчета усилителя на полевых и биполярных транзисторах.
Ил. …, табл. …, список лит. - … назв.
Рецензент ктн доц.
Для направлений
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве практикума
© Савиных А.Л., 2022
© Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики, 2022
Оглавление
| | Стр. |
| Цель работы .............................................................................................. | 4 |
| Задание............................................................................................................ | 4 |
| Содержание курсовой работы ..................................................................... | 7 |
| Структурная схема усилителя..................................................................... | 7 |
| Порядок расчета усилителя......................................................................... | 15 |
| Приложение А. Параметры и характеристики бескорпусных транзисторов и диодов …............................................................................ | 2.. |
| Приложение Б. …........................................................................................ | 2 |
| Литература ………........................................................................................ | 2 |
| | |
| | |
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
-
Научиться составлять электрические схемы интегрального усилителя по заданным параметрам. -
Осуществлять правильный выбор БТ и ПТ и определять их параметры по характеристикам или путем измерения. -
Проводить электрический расчет пассивных элементов схемы.
Рисунок 1 - Структурная схема усилителяОдин из вариантов принципиальной схемы усилителя, соответствующий выше приведенной структуре, приведен на рисунке 2.УК выполняется на ПТ, т.к. он обладает высоким входным сопротивлением. С1 разделительная ёмкость, не пропускающая постоянную составляющую от источника сигнала. R1 – сопротивление утечки, равное заданному входному сопротивлению. R2 сопротивление нагрузки в цепи стока с параллельно включенной ёмкостью С2, которая корректирует АЧХ на высоких частотах. R3 сопротивление смещения, задающее рабочую точку ПТ. С3 блокирующая ёмкость исключает снижение коэффициент усиления.Рисунок 2 - Принципиальная схема усилителя Выходной каскад – эмиттерный повторитель(ЭП).Он состоит из биполярного транзистора VT2, резистора в цепи эмиттера R4и разделительного конденсатора С4 между эмиттером транзистора и нагрузкой.Коэффициент передачи ЭП немного меньше единицы, но он обладает высоким входным и низким выходным сопротивлениями.ПОРЯДОК РАСЧЕТА УСИЛИТЕЛЯ1 Расчет усилителя начинается с расчета выходного каскада, т.е. эмиттерного повторителя (рисунок 3). Вычисляем максимальный ток нагрузки IН = UВЫХ max / RН (1)Затем определяем постоянную составляющую тока эмиттера VT2, который должен превышать ток нагрузки в 2-3 раза IЭ– = (2÷3)∙IН. (2) Примечание. Индексы (–) и () указывают на постоянный или переменный ток либо напряжение. Рисунок 3 - Эмиттерный повторительОтсюда сопротивление в цепи эмиттера ЭП составитR4= 0,5·UП /IЭ- (3)Определяется мощность рассеивания на коллекторе транзистора VT2
PК =UКЭ–· IК– =0,5·UП· IК0, (4)где можно принять IК– ≈ IЭ–.Выбираем бескорпусной БТ, у которого максимальная мощность рассеивания на коллекторе РК max больше, чем рассчитанная выше и предельно допустимое напряжение UКЭ max> UП (приложение Б, таблица Б1). Для расчета параметров ЭП необходимо найти параметры транзистора h11Э и h21Э и записать их в таблицу 2. Для определения параметров используем приложение В (рисунок В1). Таблица 2 - Параметры транзистора VT2
| UКЭ-, В | IК–, мА | РК, мВт | Тип БТ | IБ–, мкА | UБЭ-, В |
| | | | | | |
| IБ, мкА | UБЭ, мВ | IК, мкА | h11Э, Ом | h21Э | |
| | | | | | |
| Тип БТ | R4, кОм | RНЭ, Ом | КU ЭП | RВХ ЭП, Ом | UВХ ЭП, В | IБ , мкА | UБЭ–, В | IБ–, мкА |
| | | | | | | | | |
UВХ ЭП= UВЫХ / КU ЭП (8)Переменный входной ток ЭП составляет Определяем также постоянное напряжение база-эмиттер транзистора UБЭ- . Выходное сопротивление ЭП равно где RИСТ – сопротивление источника сигнала, стоящего перед ЭП. Так как перед ЭП стоит УК, то RИСТ = R2 || Ri≈ R2. Ri– выходное сопротивление ПТ. Поскольку Ri>> R2, то им можно пренебречь. (Этот параметр определяется после расчета УК). Расчет усилителя на ПТПринципиальная схема усилителя представлена на рисунке 4.Рисунок 4 – Принципиальная схема усилителяКоэффициент передачи усилителя на ПТ определяется формулойТак как RН<
Выбирается бескорпусной ПТ, у которого предельно допустимое напряжение UСИ max > UП и
(приложение Б, таблица Б2). Тип транзистора заносим в таблицу 4.
Таблица 4 – Результаты расчета усилителя на ПТ
| Тип ПТ | КUПТ | , мА | В | UСИ, В | В | IC, мА | S, мА/В | R1, кОм | R2, кОм | R3, Ом |
| | | | | | | | | | | |
1 2 3 4
, мА