Файл: Программа дисциплины цели и задачи дисциплины.pdf

7
Контрольная
работа
№
1
Тема
:
МДП
-
транзисторы
Задание
:
1.
Построить выходные статические характеристики
МДП
- транзистора
I
С
= f(U
СИ
) при
U
ЗИ
= const в
диапазонах изменений напряжений
|U
ЗИ
| = 0…5
В
,
|U
СИ
| = 0…5
В
для заданного варианта параметров
, приведенных ниже в
таблице
(
условные обозначения соответствуют
[1]).
2.
Построить статическую характеристику передачи
I
С
= f(U
ЗИ
) при
U
СИ
= const того же транзистора при условии
, что транзистор работает на пологой части выходных характеристик
3.
Рассчитать крутизну характеристики передачи транзистора
S
в рабочей точке по постоянному току
, приведенной в
таблице
4.
Определить графически значения крутизны характеристики передачи в
той же рабочей точке по выходным и
передаточной характеристикам
Сопоставить полу
- ченные значения с
рассчитанными в
п
.3.
5.
Рассчитать значения
y- параметров
МДП
- транзистора в
той же рабочей точке для схемы включения с
общим истоком
6.
Изобразить эквивалентную схему рассматриваемого
МДП
- транзистора для диапазона низких частот
Рабочая точка
Вариант задания
Тип канала
µ
ps
,
см
2
/(
В·с
)
C
зк
, пФ
/
мкм
2
U
ЗИпор
,
В
b,
мкм
l,
мкм
|U
ЗИ
|,
В
|U
СИ
|,
В
1
n-
610 9,0
·
10
-4 0,76 22 3,1 2,0 2,5 2
n-
590 8,7
·
10
-4 0,63 31 4,3 3,0 3,0 3
n-
620 9,6
·
10
-4 0,93 47 5,7 2,5 4,5 4
n-
550 1,3
·
10
-3 1,1 33 4,1 4,0 3,5 5
n-
590 8,8
·
10
-4
- 0,78 29 2,7 1,5 3,5 6
n-
630 9,2
·
10
-4
- 1,2 55 5,1 0
2,5 7
n-
580 1,4
·
10
-3
- 0,94 43 3,3 1,0 4,0 8
p-
- 210 9,1
·
10
-4
- 0,81 24 3,7 2,5 2,5 9
p-
- 180 7,6
·
10
-4
- 1,1 46 5,6 3,0 2,5 10
p-
- 220 1,5
·
10
-3
- 1,2 34 2,3 3,5 3,0 11
p-
- 190 8,3
·
10
-4
- 0,97 54 4,1 4,0 5,0 12
p-
- 230 1,1
·
10
-3 0,83 44 3,9 2,0 4,5 13
p-
- 200 9,3
·
10
-4 0,77 18 7,7 1,5 3,5 14
p-
- 160 1,2
·
10
-3 1,3 46 5,5 0
2,5

8
Контрольная
работа
№
2
Вариант
1
1.
Изобразить энергетические диаграммы
p-n-
перехода при отсутствии внешне
- го напряжения
, при прямом и
обратном внешних напряжениях
2.
Записать соотношения для полной толщины резкого
p-n-
перехода
, резкого несимметричного
p-n-
перехода
, толщины плавного
p-n-
перехода с
линейным рас
- пределением примесей
3.
Записать соотношения для барьерной емкости для резкого
p-n-
перехода
, не
- симметричного резкого
p-n-
перехода и
для плавного
p-n-
перехода с
линейным рас
- пределением примесей
Вариант
2
1.
Пояснить с
помощью энергетической диаграммы образование омического пе
- рехода на контакте полупроводников с
одним типом электропроводности
2.
Обосновать условия образования омического перехода на контакте металла с
полупроводником
3.
Перечислить требования
, свойства и
параметры омических переходов
Вариант
3
1.
Изобразить вольт
- амперную характеристику диода при прямом и
обратном включениях
2.
Привести упрощенные соотношения для плотности тока насыщения и
прямо
- го тока диода
3.
Дать определения основных параметров диода
: активное сопротивление
, диффузионная емкость
, постоянная времени
Вариант
4
1.
Перечислить основные типы диодов
2.
Перечислить и
дать определения основных характеристик и
параметров вы
- прямительных диодов
, импульсных диодов
, стабилитронов
, туннельных диодов
, варикапов
3.
Привести и
пояснить особенности типовых вольт
- амперных характеристик выпрямительных кремниевых диодов
, стабилитронов
, туннельных диодов
Вариант
5
1.
Изобразить структуру биполярного транзистора
, перечислить основные ре
- жимы его работы
, описать распределение стационарных потоков носителей заря
- да в
различных режимах
2.
Перечислить и
пояснить основные статические параметры биполярного тран
- зистора в
различных режимах
3.
Привести семейства входных и
выходных статических характеристик бипо
- лярного транзистора
, включенного по схемам с
общей базой и
с общим эмиттером
Вариант
6
1.
Записать малосигнальные параметры четырехполюсника
, эквивалентного транзистору
2.
Привести формулы перехода между системами параметров
, их перерасчет из одной схемы включения транзистора в
другую

9
Вариант
7
1.
Определить формальные и
физические эквивалентные схемы транзисторов
2.
Показать эквивалентные схемы одномерной теоретической модели биполяр
- ного транзистора
3.
Изобразить полные эквивалентные схемы биполярного транзистора
Вариант
8
1.
Описать структуру и
принцип действия диодного тиристора
2.
Описать функционирование триодного тиристора
3.
Перечислить и
пояснить способы управления тиристорами
Вариант
9
1.
Пояснить структуру и
принцип действия полевого транзистора с
управляю
- щим переходом
2.
Определить статические характеристики полевого транзистора с
управляю
- щим переходом
3.
Привести формулы расчета статических характеристик и
эквивалентные схе
- мы полевого транзистора с
управляющим переходом
Вариант
10
1.
Представить структуру
МДП
- транзистора
, принцип его действия
, статические характеристики
2.
Привести соотношения для статических характеристик и
параметров
МДП
- транзисторов
3.
Описать структуру и
принцип действия приборов с
зарядовой связью
Вариант
11
1.
Перечислить задачи и
принципы микроэлектроники
, классификацию инте
- гральных микросхем
2.
Описать методы изоляции элементов интегральных микросхем
, формирова
- ния активных и
пассивных элементов
Вариант
12
1.
Описать принцип действия и
конструкцию полупроводниковых приборов ото
- бражения информации
2.
Пояснить особенности работы фоторезисторов
, фотодиодов
, полупроводни
- ковых фотоэлементов
, фототранзисторов
3.
Дать описания оптопары и
оптоэлектронной микросхемы
Вариант
13
1.
Описать принципы действия и
основные характеристики термисторов прямого подогрева
, болометров и
позисторов
2.
Пояснить принципы действия преобразователей
Холла
, магниторезисторов
, магнитодиодов и
магнитотранзисторов
Вариант
14
1.
Записать малосигнальные параметры четырехполюсника
, эквивалентного транзистору
2.
Привести формулы перехода между системами параметров
, их перерасчет из одной схемы включения транзистора в
другую

10
Курсовая
работа
Тема
:
Расчет
биполярного
транзистора
Задание
:
Вар
Тип
Струк
- тура
Т
П
max
K
U
K
б max
B
I
Kmax мА
Р
К
max мВт f
гр кГц h
21
Э
S см
/
с
I
Э
мА
U
КБ
В
1
n-p-n
Полоск
358 15 50 250 50 50 100 15 10 2
n-p-n
Полоск
358 12 40 260 40 60 100 15 10 3
n-p-n
Полоск
358 15 40 270 30 70 100 15 12 4
p-n-p
Полоск
358 12 50 280 25 75 150 10 10 5
p-n-p
Полоск
358 15 45 300 20 80 150 20 12 6
n-p-n
Полоск
398 80 50 150 60 30 200 10 10 7
n-p-n
Полоск
398 70 50 180 65 35 200 10 15 8
n-p-n
Полоск
398 60 50 200 60 40 200 15 10 9
p-n-p
Полоск
398 70 40 220 70 30 250 15 10 10
p-n-p
Полоск
398 80 40 250 60 35 300 15 15 11
p-n-p
Осесим
358 15 50 300 30 60 100 12 12 12
p-n-p
Осесим
358 12 40 290 20 75 100 20 10 13
p-n-p
Осесим
358 15 40 275 40 50 100 15 12 14
n-p-n
Осесим
358 12 50 260 20 70 150 20 10 15
n-p-n
Осесим
358 15 50 250 20 80 150 20 10 16
p-n-p
Осесим
398 80 50 250 70 30 300 10 15 17
p-n-p
Осесим
398 70 50 220 60 35 200 15 12 18
p-n-p
Осесим
398 60 50 150 60 30 300 15 15 19
n-p-n
Осесим
398 70 40 180 70 30 250 10 10 20
n-p-n
Осесим
398 80 40 200 60 30 250 15 12