ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 26.10.2023
Просмотров: 180
Скачиваний: 5
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
СОДЕРЖАНИЕ
7. Расчёт генератора ударного возбуждения
7.1. Выбор типа транзистора Q6
7.2. Выбор режима работы транзистора Q6
7.3. Расчет параметров контура
7.4. Выбор типа транзистора эмиттерного повторителя Q6 и расчет цепи обратной связи
7.5. Определение амплитуды напряжения на выходе схемы
7.6. Определение сопротивления R17
7.7. Расчет R22 в развязывающей цепи
7.8. Определение сопротивления R31
7.9. Определение амплитуды прямоугольного импульса запирающего транзистора
рассчитывается, исходя из условия насыщения второго транзистора в исходном состоянии:
Задаем:
Время запаздывающая емкость C:
Задаем:
Сопротивление делителя:
Назначим
.
Назначим
.Уточним величину амплитуды выходных импульсов:
Из условия безыскаженной передачи импульса выберем разделительный конденсатор:
.
После тестирования и настройки схемы методами САПР получены следующие значения элементов схемы:
10. Анализ результатов
Сигнал генератора строба задержки первого импульса
Сигнал генератора строба задержки
Сигнал генератора строба работы
Сигнал генератора ударного возбуждения
Сигнал триггера Шмитта
Сигнал формирования импульсов управления
Заключение
В результате моделирования схемы устройства при помощи ПО (Micro – Cap 12) удалось обеспечить заданные в техническом задании характеристики прибора, а именно: время задержки генерации импульсов управления, времени работы, частоту и
амплитуду выходных импульсов управления, а также их количество.
Выходные импульсы имеют заданную в ТЗ длительность, время фронта и спада, необходимую амплитуду.
В процессе разработки устройства управления оценивалась также устойчивость схемы к колебаниям температуры окружающей среды в пределах
. Изменение времени задержки генерации импульсов находится в допустимых пределах. Изменение длительности управляющих импульсов не существенно. Температурную нестабильность схемы можно объяснить применением транзисторов, не устойчивых к изменениям температуры, а также наличием в схеме емкостей.Для устранения температурной нестабильности рекомендуется не эксплуатировать блок-схему в условиях значительных перепадов температур.
Список литературы
-
«Расчет блоков управления лазерных систем» учебное пособие по выполнению курсового проекта (Р.Ш. Загидулин, В.А. Коростелев, В.Н. Рождествин, Б.Л. Созинов). Москва МГТУ, 1984 г. -
Справочник по транзисторам http://kazus.ru/guide/transistors/index.html -
«Основы импульсной и цифровой техники» (В.В. Гусев). Москва, 1975 г. -
«Расчет блоков управления лазерных систем» учебное пособие по выполнению курсового проекта (Под ред. В.Н. Рождествина). Москва МГТУ, 1984 г.