Файл: Блок управления модулятором твердотельного лазера.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 26.10.2023

Просмотров: 175

Скачиваний: 5

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

К транзистору Q6 предъявляют менее жесткие требования, чем к Q6. Каскад должен обеспечить передачу синусоидального напряжения с коэффициентом усиления близким к 1, иметь большое входное и малое выходное сопротивление. Транзистор выбирают того же типа, что и Q6.

Для обеспечения постоянства амплитуды колебания на контуре коэффициент обратной связи должен быть равен 1. Выполнение этого условия обеспечивается при равенстве сопротивления обратной связи эквивалентному сопротивлению контура со стороны отвода катушки .



Обычно выбирают коэффициент включения , т.е. отвод делают от середины сердечника. В этом случае условие получения на контуре незатухающих колебаний будет иметь вид:


Возьмём

7.5. Определение амплитуды напряжения на выходе схемы


Для упрощения положим входное сопротивление каскада, следующего за ЭП, большим, а входную емкость малой. Это позволит применить упрощенное выражение для коэффициента передачи эмиттерного повторителя. Так как









То их влиянием можно пренебречь. Тогда:


7.6. Определение сопротивления R17


Сопротивление R17 в цепи базы транзистора Q6 определяет положение рабочей точки и должно выбираться так, чтобы в состоянии покоя выполнялось неравенство:



где R3 - сопротивление стабилизации тока покоя Q6

для уменьшения изменений амплитуды колебаний контура от серии к серии; его номинал составляет обычно несколько сотен Ом.

Принимаем R24 = 510 Ом, тогда:







Выберем R17 = 16 кОм

7.7. Расчет R22 в развязывающей цепи


Резистор R22 вместе с конденсатором ????7 представляют собой развязывающую цепь; R22 вычисляется из условия получения выбранного режима:



Где и токи покоя эмиттера и коллектора Q7; ток покоя эмиттера; и сопротивления эмиттеров Q6 и Q7, равное 30 Ом.

Решая последнее уравнение относительно R78, получаем:


Выберем R22 = 1.3 кОм.

7.8. Определение сопротивления R31


Сопротивление ????31 в цепи базы Q6 можно найти из уравнения:




Выберем R31 = 43 кОм

7.9. Определение амплитуды прямоугольного импульса запирающего транзистора


Следует подчеркнуть, что работа схемы зависит от U. Чрезмерное увеличение амплитуды искажает форму генерируемых колебаний и уменьшает их амплитуду. Чтобы надежно закрыть транзистор при напряжении на контуре равном , нужна амплитуда импульса равная .

В то же время это напряжение должно быть достаточным для создания тока базы , необходимого для получения заданного времени запирания в соответствии с выражением, определяющим время запирания. Из этого выражения можно найти:





Получаем, что



т.е. необходимое условие выполняется.
В результате моделирования в каскаде пришлось изменить значения:

R20 = 63 кОм R17 = 16 кОм; R18 = 620 кОм; L1 = 4.7 мГн; L2 = 4.7 мГн



8. Расчет триггера Шмитта

На рисунке 7 показана схема триггера Шмитта



Рисунок 7

Данные к расчёту.

Амплитуда выходных импульсов , напряжение срабатывания ; максимальная частота синусоидального напряжения , выходное сопротивление генератора синусоидального напряжения ???????? = 3350 Ом; диапазон изменения температур

Выбор типа транзистора.

Выбираем тип транзистора по таким же критериям, как и ранее. Для выполнения технических условий используем транзистор с ; выбираем транзистор KT630А с параметрами:

Определение напряжения

Расчет сопротивления ????28:

Из неравенства

Согласно ряду номиналов принимаем R60 = Ом

Определяем ????28 = 2,2 кОм

Определение сопротивления ????31

Определяем R31 = 360 Ом

Определение сопротивления ????2????.

Принимаем ????27 = 3 кОм

Определение сопротивления ????32



Поэтому

Выбираем R32 = 15 кОм
Определение сопротивления ????29


Где


Определяем R29 = 91 кОм
Определение напряжения

Напряжение
, при котором происходит опрокидывание (отпускание) триггера, определяется формулой:

Условие существования скачкообразного перехода триггера из одного устойчивого состояния в другое зависит от сопротивления источника входного сигнала. Если это сопротивление достаточно велико, несмотря на то, что элементы схемы выбраны из условия регенерации при . Поэтому целесообразно применять источник входных сигналов с малым .

Отсюда ширина петли гистерезиса

Определение сопротивлений R26 и R30

Так как триггер используется для формирования прямоугольных импульсов, то рабочую точку нужно выбирать в середине петли гистерезиса, т.е.



Значение определяется делителем R56 и R61. Задаваясь током делителя через сопротивления R56 и R61 находим:



Принимаем номинальное значение R30 = 3 кОм


Принимаем номинальное значение R26 = 24 кОм
Проверка выполнения условия насыщения транзистора Q9

Из формулы



Принимаем номинальное значение R32 = 3 кОм

Следовательно условие насыщение выполняется.
Расчёт ускоряющей ёмкости

Для устранения динамического смещения ускоряющую ёмкость выбираем из условия:



Принимаем номинальное значение C37 = 4.7 пФ
В результате моделирования в каскаде пришлось изменить значения:


9. Расчет усилителя - формирователя импульсов управления

После триггера Шмитта не удается получить импульсы заданной частоты и амплитуды, поэтому необходимо использовать усилитель. В качестве усилителя-формирователя импульсов управления будем использовать ждущий мультивибратор с эмиттерной связью.


Схема ждущего мультивибратор приведена на рисунке 6.



Рис.2

Исходя из технического задания, выберем тип транзистора.

Т. к. необходимым является формирование импульсов управления положительной полярности, остановимся на транзисторах типа n-p-n, которые обладают лучшими характеристиками по сравнению с p-n-p типом.

Для обеспечения необходимого уровня напряжения на выходе определим напряжение на коллекторе транзистора:





Тип транзистора выбираем в соответствии с минимально достижимой длительностью импульса:



И длительностью фронтов импульсов коллекторного напряжения:



Выберем высокочастотный транзистор КТ630А (схему см. рис. 2)

С параметрами:

; ;

; ;

;
Величина сопротивления коллектора транзистора VT2 – , исходя из данных о нагрузке:



Задаем:

Амплитуда импульса коллекторного тока транзистора VT2:



Сопротивление эмиттера транзистора VT2:


Задаем:

Сопротивление коллектора VT1:



Задаем:

Время задающее сопротивление для коэффициента глубины насыщения