10. Подзатворный диэлектрик в МОП-транзисторах. Важнейшее требование в данном случае - качество границы полупроводник - диэлек­трик, минимальная плотность зарядов на ней. Именно поэтому обычно используют тонкий слой термически выращенного SiO2

11. Источник диффузионного легирования. Используют стекла БСС, ФСС

---

Смотрите также файлы

• Анализ ликвидности и платежеспособности.docx

• Характеристика класса.docx

• Конспект лекцій. Проектування цехів. Література. 1 Норицин, Шехтер, Мансуров. Проектирование кузнечных и холодноштамповочных заводов. М. 1977. 2 Проектирование машиностроительных заводов и цехов. Справочник.doc

• 5. Культурогенез в первобытную эпоху Задание Иллюстрацией каких теорий культурогенеза могут выступать следующие высказывания (объясните свой ответ).docx

• Вопросы к междисциплинарному экзамену по направлению подготовки 36. 03. 02 Зоотехния.pdf