фоторезисторов различного физико-химического состава. Это достигается тем, что установка содержит блок, в котором размещены четыре типа фоторезисторов из CdSe и CdS. Конструкция блока фоторезисторов и основные его элементы приведены на рис.4.2, а его принципиальная схема на рис.4.3.



Рисунок 4.2




Рисунок 4.3

Оптическая часть. Оптическая часть установки представлена на рисунке 3 в его левой половине. В данной работе освещение фоторезистора осуществляется с помощью оптического блока, включающего в свой состав блок светодиодов модулированного зеленого (0,55 мкм), красного (0, 64 мкм). Блок светодиодов показан на рис.3 как D1. Для создания фоновой засветки фоторезистора используется светодиод с длиной волны излучения 0.45 мкм – D2. Необходимое для их работы напряжение прямого смещения подается с источников постоянного напряжения, обозначенных V2 и V3 соответственно. Полярность прикладываемого к светодиодам постоянного напряжения соответствует их прямой полярности. Модуляция оптического излучения производится с помощью стандартного генератора Г3-112. Амплитуда переменного напряжения выбирается равной величине постоянного напряжения на светодиоде. Этим достигается 100%-ная модуляция тестового потока источника D1.

2. Результаты измерений

Измерение частотных зависимостей

---

Измерим частотные зависимости фотопроводимости фоторезистора, изменяя частоту измерения fпри ????_см = 4 В и ????_см = 7 В. Результаты измерения приведены в таблице 4.1.

Таблица 4.1 – Результаты измерений частотных зависимостей

????см = 4 В			????см = 7 В
????, Гц	????фп, мВ		????, Гц	????фп, мВ
10	44		10	54
20	74		20	92
40	110		40	140
60	135		60	170
100	155		100	190
200	135		200	165
400	95		400	115
600	70		600	90
1000	50		1000	65
2000	30		2000	40
4000	20		4000	25
6000	15		6000	15

---

Рисунок 4.1 – График частотных зависимостей ????_см = 7 В
Определим частоту среза фотопроводимости и по ней время жизни неравновесных носителей заряда _{n, p}

Рисунок 4.2 – Определение фотопроводимости при ????_см = 4 В

????_ср = 17,9 Гц;



Рисунок 4.3 – Определение фотопроводимости при ????_см = 7 В

????_ср = 20 Гц;





Рисунок 4.5 – Определение угла наклона ????_см = 7 В
−2




???? = ???? = ???????????????????? ( ₃ ) = −0,588

Измерение полевых зависимостей

Таблица 4.3 – Результаты измерений полевых зависимостей

При частоте ???? = 40 Гц			При частоте ???? = 400 Гц
????см, В	????фп, мВ		????см, В	????фп, мВ
0,5	16		0,5	15
1	34		1	28
1,5	52		1,5	40
2	68		2	56
2,5	74		2,5	66
3	80		3	80
3,5	86		3,5	90
4	88		4	96
4,5	92		4,5	100
5	96		5	105
5,5	100		5,5	110
6	110		6	115
6,5	115		6,5	115
7	120		7	120
7,5	125		7,5	125
8	135		8	130
8,5	140		,5	135
9	150		9	140
9,5	150		9,5	145
9,9	155		9,9	145

---

Рисунок 4.2 – Графики полевых зависимостей для 40 Гц и 400 Гц

Рисунок 4.3 – Графики полевых зависимостей для 30 Гц и 300 Гц при включенном светодиоде
Вычислим время пролета неравновесными электронами и дырками фоторезистора размерами (5.6х5.6) мм²:

---

5 Выводы

В результате выполнения данной лабораторной работы были изучены процессы, протекающие в фоторезисторе при его освещения непрерывным излучением различной частоты и при различных значениях напряжения, приложенного к фоторезистору, а также вычислены из полученных зависимостей параметров полупроводника.

Так, во-первых, были построены частотные зависимости фотопроводимости фоторезистора при изменении частоты f, задав в первом случае напряжение

смещения, равное ????_см = 4 В и во втором случае – ????_см = 7 В. По этим зависимостям

---

Смотрите также файлы

• Ошский технологический университет имени академика М. Адышева.docx

• Системы охлаждения транспортируемого газа на компрессорных станциях.odt

• специальная дошкольная педагогика.doc

• 211 Технический сервис в апк Для сдачи экзамена по дисциплине Тракторы и Автомобили.docx

• В 1930 г советский учёный Г. Ф. Гаузе.docx