Файл: Отчет по лабораторной работе 3 по дисциплине Основы оптоэлектроники.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Отчет по практике

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 23.11.2023

Просмотров: 66

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
видно, что в начальное время напряжение фотопроводимости увеличивается, стабилизируется, далее по линейному закону убывает. Также по частоте среза было определено время жизни неравновесных носителей заряда: при ????см = 4 В

????????,???? = 56000 мкс, при ????см = 7 В ????????,???? = 50000 мкс; рассчитаны углы наклона (значение показателя n).

Во-вторых, были построены полевые зависимости при частотах: ???? = 40 Гц и

???? = 400 Гц; вычислены время пролета неравновесными электронами и дырками фоторезистора и коэффициенты усиления фотопроводимости ????фп, равные

????фп = 214,32 и ????фп = 669,99 для V=4 В иV=7 В соответственно.