Файл: Отчет по лабораторной работе 3 по дисциплине Основы оптоэлектроники.docx
Добавлен: 23.11.2023
Просмотров: 66
Скачиваний: 1
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
видно, что в начальное время напряжение фотопроводимости увеличивается, стабилизируется, далее по линейному закону убывает. Также по частоте среза было определено время жизни неравновесных носителей заряда: при ????см = 4 В
????????,???? = 56000 мкс, при ????см = 7 В ????????,???? = 50000 мкс; рассчитаны углы наклона (значение показателя n).
Во-вторых, были построены полевые зависимости при частотах: ???? = 40 Гц и
???? = 400 Гц; вычислены время пролета неравновесными электронами и дырками фоторезистора и коэффициенты усиления фотопроводимости ????фп, равные
????фп = 214,32 и ????фп = 669,99 для V=4 В иV=7 В соответственно.
????????,???? = 56000 мкс, при ????см = 7 В ????????,???? = 50000 мкс; рассчитаны углы наклона (значение показателя n).
Во-вторых, были построены полевые зависимости при частотах: ???? = 40 Гц и
???? = 400 Гц; вычислены время пролета неравновесными электронами и дырками фоторезистора и коэффициенты усиления фотопроводимости ????фп, равные
????фп = 214,32 и ????фп = 669,99 для V=4 В иV=7 В соответственно.