Файл: ТЭ.docx

Положительным считается направление тока, втекающего в анодную область р-типа электропроводности, к которой подсоединен положительный полюс источника питания. Участок характеристики между точками 1 и 2 соответствует закрытому состоянию с высоким сопротивлением.

В этом случае основная часть напряжения V_G падает на коллекторном переходе П₃, который смещен в обратном направлении. Эмиттерные переходы П₁ и П₂ включены в прямом направлении.

Первый участок ВАХ тиристора аналогичен обратной ветви ВАХ pn-перехода. На участке 1-2 дифференциальное сопротивление положительное и имеет большое значение. С ростом тока дифференциальное сопротивление постепенно уменьшается и в точке (2) становится равным нулю. Участок 2-3 соответствует отрицательному дифференциальному сопротивлению. Участок 3-4 характеризуется малым положительным дифференциальным сопротивлением.

Рассмотрим характерные точки ВАХ тиристора. Точку, для которой напряжение на прямой ветви ВАХ тиристора максимально, называют точкой включения. Напряжение на аноде, соответствующее этой точке, называют напряжением включения U_в, а ток – током включения I_в.

В точке переключения дифференциальное сопротивление обращается в нуль, а напряжение на структуре достигает максимального значения, равного напряжению включения U_в.

Напряжение включения – это анодное напряжение в прямом направлении, при котором в двухэлектродном (динисторном) включении тиристор переходит из закрытого состояния в открытое. Напряжение включения обычно имеет небольшой запас относительно напряжения лавинного пробоя коллекторного перехода.

Ток включения I_в – это такое значение анодного тока тиристора при прямом направлении, при превышении которого тиристор в двухэлектродном включении переключается в открытое состояние.

Если уменьшать ток через тиристор, то по достижении некоторого минимального тока, который необходим для поддержания его в открытом состоянии, называемого током выключения I_выкл или I_у (удерживающим), происходит переключение в закрытое состояние.

Эквивалентная схема тиристора может быть представлена с помощью двух транзисторов (рис. 7.3), таким образом, тиристор можно рассматривать как соединение рnр-транзистора с nрn-транзистором, причем коллектор каждого из них соединен с базой другого.

К катоду тиристора прикладывается отрицательное (или нулевое) напряжение, к аноду положительное. При положительном анодном напряжении эмиттерные переходы смещены в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Через эмиттерные переходы в базовые области инжектируются неосновные носители заряда. Посредством диффузии или дрейфа они перемещаются к коллекторному переходу. Часть носителей на этом пути рекомбинирует, а оставшиеся – достигают коллекторного перехода. Генерируемые в области ОПЗ коллекторного перехода электроны и дырки разделяются полем этого перехода и поступают соответственно в n-и p-базы. Для инжектированных эмиттерами носителей заряда в коллекторном переходе нет потенциального барьера, и они переходят в базовые области: дырки в p-базу, а электроны в n-базу.

Задерживаемые потенциальными барьерами эмиттерных переходов, дырки и электроны образуют избыточные положительные и отрицательные заряды в соответствующих базах, что аналогично приложению прямого напряжения к эмиттерным переходам. Потенциальные барьеры эмиттеров понижаются, что вызывает увеличение инжекции дырок из p-эмиттера в n-базу и электронов из n эмиттера в p-базу.

При увеличении напряжения коллекторного перехода в области ОПЗ коллектора начинается лавинное умножение неосновных носителей, что приводит к росту потоков электронов и дырок и их накопление в соответствующих базах.

Появление дополнительного отрицательного заряда электронов в n-базе приводит к приоткрыванию эмиттерного перехода pnp-транзистора и инжекции дырок, заряд которых нейтрализует накопленный в базе заряд электронов.

Появление дополнительного положительного заряда дырок в p-базе приводит к приоткрыванию эмиттерного перехода pnp-транзистора и инжекции электронов, заряд которых нейтрализует накопленный в базе заряд дырок. Инжектированные дополнительно носители через коллектор попадают в соседнюю базу, способствуя дальнейшему открыванию соответствующих эмиттерных переходов и нарастанию тока. Процесс будет повторяться до тех пор, пока не будет достигнут предельно возможный в данной цепи ток, обусловленный внешней нагрузкой. При этом тиристор переходит во включенное состояние (отр. 3-4 на рис. 7.2), в котором он обладает минимальным сопротивлением. При этом как pnp-транзистор, так и npn-транзистор попадают в режим насыщения.

ВАХ тиристора в двухэлектродном включении представляет собой зависимость напряжения на аноде в функции тока анода U_A(I_A). При двухэлектродном включении тиристора ток управления равен нулю (I_У=0) и поэтому ток анода равен току катода I_A=I_K=I.

При задании тока I через тиристор эмиттеры pnp- и npn-структур инжектируют неосновные носители зарядов в базовые области соответствующих транзисторов, которые собираются общим для обеих структур коллектором.

Напряжение между анодом и катодом определяется суммой напряжений на ОПЗ рn-переходов структуры. В данном случае мы проводим простейший анализ и падением напряжения на областях квазиэлектронейтралых баз пренебрегаем:

Для электронного и дырочного токов коллекторного перехода можно записать: I_кp=α_p∙I_эp=α_p∙I_А, I_кn=α_n∙I_эn=α_n∙I_К, где I_кp, I_эp, I_кn – соответственно управляемые дырочные и электронные токи эмиттера и коллектора, α_p и α_n – коэффициенты передачи токов транзистора pnp и npn соответственно.

Общий ток тиристора I=∙I_А= I_К, будет включать как управляемые токи, так и тепловой ток коллекторного перехода I_к0:

Откуда:

Ток анода, при котором выполняется условие = 1 является током включения I_в, так как при этом токе имеет место максимум кривой U(I).

Необходимым условием формирования S-образной ВАХ тиристора с участком отрицательного дифференциального сопротивления является зависимость суммы коэффициентов передачи тока α=α₁+α₂ от тока через структуру.

Из формулы (7.3) следует, что если

то ток тиристора стремится к бесконечности. Таким образом (7.4) и будет условием включения тиристора. На рис. 7.5 показаны зависимости коэффициентов α_p=α₁, α_n=α₂ и α_S=(α₁+α₂) от тока через тиристор.

Поскольку ток определяется напряжением на тиристоре, аналогичная зависимость будет, если использовать в качестве аргумента напряжение. При этом моменту включения тиристора будут соответствовать значения некоторого порогового тока и напряжения: I_в, U_в. Изменяя характер зависимости α_p(I) или α_n(I) возможно изменять значения тока и напряжения, при которых происходит переход тиристора в состояние с малым сопротивлением.

При увеличении тока эмиттера могут возрастать как коэффициент переноса æ, так и коэффициент инжекции γ. Увеличение коэффициента переноса может происходить вследствие появления ускоряющего электрического поля, уменьшения рекомбинационных потерь неосновных носителей заряда в базе и возрастания времени жизни носителей с ростом уровня инжекции.

Учтем еще один фактор – лавинное умножение в коллекторном переходе П₃ через коэффициент лавинного умножения М. Тогда суммарный ток I через переход П₃ будет равен:

где M – коэффициент лавинного умножения, который предполагается одинаковым для электронов и дырок и определяется формулой Миллера (5.52). Откуда:

где α=α_p+α_n – суммарный коэффициент передачи тока первого (p₁n₁p₂) и второго (n₂p₂n₁) транзисторов. Выражение (7.7) в неявном виде описывает ВАХ диодного тиристора на "закрытом" участке, поскольку коэффициенты М и α зависят от приложенного напряжения V_G. По мере роста α и М с ростом V_G, когда значение М(α₁+α₂) станет равно 1, из уравнения (7.7) следует, что ток I устремится к ∞. Это условие и есть условие переключения тиристора из состояния "закрыто" в состояние "открыто".

Таким образом, в состоянии "закрыто" тиристор должен характеризоваться малыми значениями α и М, а в состоянии "открыто" – большими значениями коэффициентов α и М.

В закрытом состоянии (α – малы) все приложенное напряжение падает на коллекторном переходе П₃ и ток тиристора – это ток обратно смещенного pn- перехода. Чтобы выключить транзистор необходимо создать условия, при которых исчезает заряд, инжектированный в базы транзистора, и, соответственно, концентрации неосновных носителей около коллекторного перехода становятся меньше или равны равновесным. При этом будет иметь место выход pnp- и npn-транзисторов из режима насыщения и переход тиристора в состояние с высоким сопротивлением. Проще всего выключить тиристор, прекратив на некоторое время инжекцию заряда через эмиттерные переходы. При питании тиристора переменным напряжением это происходит автоматически в момент, когда напряжение проходит через ноль.

Если полярность напряжения между анодом и катодом сменить на обратную, то переходы П₁ и П₃ будут смещены в обратном направлении, а П₂ – в прямом. ВАХ тиристора в этом случае будет обычная ВАХ двух обратносмещенных pn-переходов.