Файл: Программа для эвм это упорядоченная последовательность команд, подлежащая обработке.docx

1. 
   архитектуры центрального процессора с присущими ей набором регистров для хранения промежуточных данных, организацией памяти и способами адресации операндов в пространстве памяти, системой команд, определяющей набор возможных действий над операндами, организацией процесса выборки и исполнения команд;
   
2. 
   схемотехники воплощения архитектуры, которая определяет последовательность перемещения данных по внутренним магистралям МК между регистрами, арифметическо-логическим устройством и ячейками памяти в процессе выполнения каждой команды;
   
3. 
   технологии производства полупроводниковой ИС МК, которая позволяет разместить схему той или иной сложности на полупроводниковом кристалле, определяет допустимую частоту переключений в схеме и энергию потребления.
   

46.Резидентная (внутренняя) память микроконтроллеров.

1. 
   ПЗУмасочноготипа – Mask-ROM. Содержимое ячеек ПЗУ этого типа записывается на заводе-изготовителе МК с помощью масок и не может быть заменено или изменено. Поэтому МК с таким типом памяти программ следует использовать в изделии только после достаточно длительной опытной эксплуатации этого изделия. ПЗУ масочного типа представляет собой самое дешевое и эффективное решение при больших объемах выпускаемой аппаратуры. Использование МК с масочным ПЗУ экономически становится рентабельным при партии в несколько десятков тысяч штук. Они обеспечивают высокую надежность хранения информации по причине программирования в заводских условиях с последующим контролем качества. Недостатки ПЗУ масочного типа: любое изменение прикладной программы потребует новой серии ИС МК, что может оказаться весьма дорогостоящим и времяемким решением.
   
2. 
   ПЗУ,однократнопрограммируемыепользователем– OTPROM (One-Time Programmable ROM). В незапрограммированном состоянии каждая ячейка памяти модуля однократно программируемого ПЗУ содержит код FF. Программированию подлежат только те разряды, которые после программирования должны содержать 0. Если в процессе программирования некоторые разряды какой-либо ячейки памяти были установлены в 0, то восстановить в этих разрядах единичное значение уже невозможно. Поэтому рассматриваемый тип памяти и носит название однократно программируемые ПЗУ. Однако те разряды, которые в процессе предшествующего сеанса программирования не изменялись, т.е. имеют единичные значения, могут быть подвергнуты программированию в последующем и установлены в 0. Число возможных сеансов программирования модуля однократно программируемого ПЗУ в составе МК не имеет ограничений. Технология программирования состоит в многократном приложении импульсов повышенного напряжения к элементарным ячейкам адресуемого байта памяти (т.е. к битам), подлежащим программированию. Уровень напряжения программирования, число импульсов и их временные параметры должны в точности соответствовать техническим условиям. В противном случае ячейки памяти могут восстановить единичное значение по прошествии некоторого времени (иногда нескольких лет) или при изменении условий работы. МК с однократно программируемым ПЗУ рекомендуется использовать в изделиях, выпускаемых небольшими партиями.
   
3. 
   ПЗУ,программируемыепользователемсультрафиолетовымстиранием– EPROM (Erasable Programmable ROM). ПЗУ данного типа допускают многократное программирование. Перед каждым сеансом программирования для восстановления единичного значения ранее запрограммированных ячеек памяти весь модуль ПЗУ должен быть подвергнут операции стирания при помощи ультрафиолетового облучения. Для этого корпус МК выполнен со специальным стеклянным окном, внутри которого расположена пластина ИС МК. Но если некоторые разряды ячеек памяти должны быть изменены с 1 на 0 при неизменном состоянии ранее запрограммированных разрядов, то операция стирания может быть пропущена. Число сеансов стирания/программирования ПЗУ данного типа ограничено и составляет 25-100 раз при условии соблюдения технологии программирования (напряжение, число и длительность импульсов программирования) и технологии стирания (волновой диапазон источника ультрафиолетового излучения). МК с ПЗУ данного типа имеют высокую стоимость, поэтому их рекомендуется использовать только в опытных образцах изделий.
   
4. 
   ПЗУ,программируемыепользователемсэлектрическимстиранием– EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM). Электрически программируемые и электрически стираемые ПЗУ совмещают в себе положительные качества рассмотренных выше типов памяти. Во-первых, ПЗУ типа EEPROM программируются пользователем, во-вторых, эти ПЗУ могут быть многократно подвергнуты операции стирания, и, следовательно, многократно программируются пользователем, в-третьих, эти ПЗУ дешевле ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием. Максимальное число циклов сти-рания/программирования ПЗУ типа EEPROM в составе МК обычно равно 10000. Технология программирования памяти типа EEPROM позволяет реализовать побайтное стирание и побайтное программирование, для чего к выбранной ячейке памяти должно быть приложено относительно высокое напряжение 10-20 В. Однако допускается также одновременное стирание некоторого количества ячеек памяти с последовательными адресами, т.е. стирание блока памяти. ПЗУ типа EEPROM редко используют для хранения программ. Во- первых, ПЗУ типа EEPROM имеют ограниченную небольшую емкость. Во-вторых, почти одновременно с EEPROM ПЗУ появились ПЗУ типа FLASH, которые обеспечивают близкие пользовательские характеристики, но при этом имеют более низкую стоимость.
   
5. 
   ПЗУсэлектрическимстираниемтипаFLASH– FLASH ROM. В отличие от EEPROM ПЗУ типа FLASH стираются и программируются страницами или блоками. Страница, как правило, составляет 8, 16 или 32 байта памяти, блоки могут объединять некоторое число страниц, вплоть до полного объема резидентного ПЗУ МК.