Файл: 8 неделя науки СВАО - тезисы с содержанием.docx

Химическая технология радиофармацевтическихпрепаратов. Богородская М.А., Кодина Г.Е., М., 2010.
Хевеши Г., Радиоактивные индикаторы, их применение в биохимии, нормальной физиологии и патологической физиологии человека и животных, пер. с англ., М., 1950.
Изотопы: свойства, получение, применение. В 2 т. Т. 1/Под ред. В.Ю.Баранова, М., 2005.
Левин В.И., Соколов С.В. Генератор галлия-68. //Радиохимия, - 1970. - Том 12. - С. 505-509.
Дымов А.М., Савостин А.П., Аналитическая химия галлия, М., 1962.
Мархол Милан, Ионообменники в аналитической химии, М., 1985

Основные направления развития производства серной кислоты

Румянцева А.Н., Тарчигина Н.Ф.

МГОУ имени В.С. Черномырдина

Серная кислота Н₂SО₄ по мировому уровню производства и объёму применения занимает первое место среди химических продуктов. Мировое производство составляет примерно 200 млн. тонн в год.

Серная кислота является стратегическим химическим продуктом, объемы производства которого определяют состояние химической промышленности и, в целом, развитие всей экономики государства.

За последние 50 лет с 1960 по2011 гг. мировое производство серной кислоты увеличилось в 4 раза и взросло с 50 млн. т до 200 млн. т в год (рис.1). Как видно из диаграммы объем производства серной кислоты вырос с 1960 по 1970 гг. на 50 млн. т.т. е. удвоился, с 1970 по 1980 гг. объем производимой кислоты также увеличился на 50 млн.т. Однако этот рост составил не 100%, как в прошлом десятилетии, а всего 50%. В период с 1980 по 2008 гг. темпы роста существенно сократились и прирост 50 млн. т достигнут уже лишь за 28 лет.

В 1960-х гг. лидерами по объему производства были США-16.2 млн. т в год. На втором месте- СССР- 5,4 млн. т в год, далее Япония – 4,4 млн.т в год, ФРГ – 3,2 млн. т в год Великобритания – 2,8 млн. т в год, и Италия – 2,1 млн. т в год.

Рис.1. Динамика роста производства серной кислоты

По годам (млн.Т)

Основные страны производители серной кислоты по состоянию на 2011 г. представлены на рис 2. как видно из рисунка ситуация в мировом производстве серной кислоты значительно изменилась. Лидером по объему производства серной кислоты стал Китай – 60 млн. т. в год. Особенно высокие темпы роста объема выпускаемой кислоты в Китае наблюдались в первые годы 21 века. С 24 млн. т в 2000 г. до 60 млн. т в 2008 г. В США имеет место тенденция к снижению темпов роста, а в последнее десятилетие даже объемов производства. В странах Европы наблюдалась аналогичная тенденция с сокращением производства серной кислоты из пирита.

Рис. 2. Основные страны-производители серной кислоты

(Данные 2011г)

В России производство серной кислоты за последние пять лет увеличилось на 22%.

Источник

Журнал «Мир серы и удобрений», 2011 г.

Разработка технологии синтеза гидрозоля гептасульфида рения и получение радиофармацевтического препарата «нанотех, 99mTс» на его основе

Таратоненкова Н.А., Тарчигина Н.Ф.

МГОУ имени В.С. Черномырдина

Объективная оценка состояния лимфатической системы является важной задачей в медицине, особенно в онкологии. В последнем случае важно также визуализировать и иметь возможность дифференцировать состояние лимфоузлов непосредственно в ходе хирургического удаления раковых опухолей с целью выявления лимфогенного метастазирования при злокачественных опухолях различной локализации (рак молочной железы, злокачественная меланома, рак предстательной железы и др.). В настоящее время в России уже разработаны и испытываются специальные отечественные мини-датчики для интраоперационной визуализации, однако отсутствуют соответствующие отечественные препараты [1].

Целью настоящей работы являлась разработка технологии синтеза неактивного стабилизированного гидрофобного золя гептасульфида рения тиосульфатным методом и приготовление радиофармацевтического препарата «Нанотех, ⁹⁹^mTc» на его основе.

Золь гептасульфида рения Re₂S₇ образуется в результате взаимодействия в кислой среде перрената натрия (NaReO₄) и тиосульфата натрия (Na₂S₂O₃5H₂O), с добавлением аскорбиновой кислоты[2]. При разработке технологии синтеза гидрозоля рассматривали изменение следующих параметров:

Изменение мольного соотношения Na₂S₂O₃/NaReO₄: 1,75; 2,2;2,7; 3,5;

Различное время синтеза золя: 5, 6, 10 мин.

Количественный химический анализ компонентов, входящих в состав синтезированных золей, проводили спектрофотометрическим методом на приборе Helios Omega [4]. Средний диаметр частиц золя определяли методом динамического рассеяния на приборе NICOMP 380ZLS.

Радиофармацевтический препарат «Нанотех, ⁹⁹^mTc» готовили из набора реагентов, состоящего из 2-х флаконов и элюата из генератора ⁹⁹Mo/⁹⁹^mTc. Флакон №1 представляет собой золь гептасульфида рения. Флакон №2 содержит лиофилизированный реагент, состоящий из пирофосфата натрия и безводного дихлорида олова.

Радиохимическую чистоту препарата (РХЧ) определяли с помощью бумажной хроматографии в метилэтилкетоне на бумаге Whatman – 1. В данной хроматоргафической системе наноколлоид остается на старте, а невосстановленный ⁹⁹^mTc движется с фронтом растворителя[1]. Биологическое изучение препарата проводили на крысах и кроликах. Определенный объем полученного препарата вводили в подошвенную часть правой задней конечности животных.

Динамические исследования проводили в течение 15 мин, статистические исследования - через 1 и 2 ч [3]. В ходе исследования были выбраны оптимальные параметры синтеза гидрозоля гептасульфида рения.

№ партии	Мольное соотношение Na₂S₂O₃/NaReO₄	Время синтеза	Результат синтеза
001	2,2	5	Золь (цвет светлее нужного)
002	2,2	10	Осадок
003	2,2	6	Золь
004	1,75	6	Золь
005	2,7	6	Золь
006	3,5	6	Золь (тяжело фильтруется)

Таблица. 1 - Условия и результаты синтеза различных партий золя

По результатам исследования было установлено, что оптимальное мольное соотношение Na₂S₂O₃∙5H₂O и NaReO₄составляет 2.2, время синтеза – 6 мин. Средний диаметр частиц в золе Re₂S₇составил от 20 до 80 нм. РХЧ препарата составила более 90,0%. По данным биологических исследований было установлено, что наибольшее накопление препарата в паховом лимфатическом узле животных происходит при соотношении Na₂S₂O₃∙5H₂O и NaReO₄равном 2.2.

Литература

1. М.А. Богородская, Г.Е. Кодина. "Химическая технология радиофармацевтических препаратов" . ФГУ ФМБЦ им. А.И. Бурназяна ФМБА России, Москва 2010.

Б.В. Ахметов, Ю.П. Новиченко, В.И. Чапурин. Физическая и коллоидная химия. Ленинград, “Химия”, Ленинградское отделение, 1986.320с.
Моделирование заболеваний. М. Медицина, 336 С
Гиллебранд В. Ф., Лендель Г. Э., Брайт Г. А., Гофман Д. И., Практическое руководство по неорганическому анализу. М.: Госхимиздат, – 344с;

Технология изготовления кристаллов полупроводниковых интегральных микросхем

Ткачева А.С., Курнявко Ю.В., Тарчигина Н.Ф.

МГОУ имени В.С. Черномырдина

Современный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС) во всех радиотехнических системах и аппаратуре. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. За каждое десятилетие число элементов в аппаратуре увеличивается в 5-20 раз. Разрабатываемые сейчас сложные комплексы аппаратуры и системы содержат миллионы и десятки миллионов элементов. В этих условиях исключительно важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры и ее элементов, микроминиатюризации электро-радиокомпонентов и комплексной миниатюризации аппаратуры. Все эти проблемы успешно решает микроэлектроника.

Интегральная и функциональная микроэлектроника являются фундаментальной базой развития всех современных систем радиоэлектронной аппаратуры. Они позволяют создавать новый вид аппаратуры - интегральные радиоэлектронные устройства.

Микроэлектроника - одно из магистральных направлений в радиоэлектронике, и уровень ее развития в значительной степени определяет уровень научно-технического прогресса страны.

Применяют два основных метода изготовления ИМС - полупроводниковый и пленочный.

Первый метод заключается в локальной обработке микроучастков полупроводникового кристалла и придании им свойств, присущих функциям отдельных элементов и их соединений (полупроводниковые интегральные микросхемы).

Второй метод основан на использовании послойного нанесения тонких пленок различных материалов на общее основание (подложку) при одновременном формировании на них схемных элементов и их соединений (пленочные интегральные микросхемы).

В обоих случаях важное значение имеет качество обработки поверхности полупроводниковых пластин и подложек .

Приведу пример типового процесса обработки пластин кремния перед термическим окислением, который включает следующие операции:

обезжиривание в горячем (75-80°С) перекисно-аммиачном растворе;
промывание в проточной деионизованной воде (удаление продуктов реакции предыдущей обработки);
обработка в горячей (90-100°С) концентрированной азотной кислоте (удаление ионов металлов);
промывание в проточной деионизованной воде (удаление остатков кислот);
гидродинамическая обработка пластин бельичими кистями в струе деионизованной воды;
сушка пластин с помощью центрифуги в струе очищенного сухого воздуха;
травление в растворе фтористоводородной кислоты (снятие поверхностного слоя и удаление загрязнений).